[发明专利]小型化抗干扰电路封装结构及其制造方法

权利要求书

1.小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于，包括：

上基板，所述上基板顶面上设有顶层元器件，所述上基板底面上设有底层元器件；

下基板，设于所述上基板底部，所述下基板中部留空，所述留空与所述上基板的底面形成用于容纳所述底层元器件的容纳腔；

屏蔽层，设于所述上基板内部。

2.如权利要求1所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述上基板的外缘设有第一金属化过孔，所述上基板的顶面和底面上分别设有与所述第一金属化过孔导电连接的上基板互联焊盘；所述下基板的外缘设有分别与所述第一金属化过孔对应的第二金属化过孔，所述下基板的顶面设有与所述第二金属化过孔导电连接的下基板顶层互联焊盘，所述下基板的底面上设有与所述第二金属化过孔导电连接的下基板底层焊盘；所述屏蔽层与所述第一金属化过孔导电连接。

3.如权利要求2所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述上基板为多层印制电路板，包括多层层叠设置的印制电路板体，所述屏蔽层设于所述上基板内相邻两层印制电路板体之间。

4.如权利要求3所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述上基板内部设有上基板盲孔和与所述上基板盲孔导电连接的上基板内部导线，所述顶层元器件通过所述上基板盲孔和所述上基板内部导线形成的上基板内部导电结构与所述第一金属化过孔导电连接，所述底层元器件通过所述上基板盲孔和所述上基板内部导线形成的上基板内部导电结构与所述第一金属化过孔导电连接，所述屏蔽层与所述上基板盲孔导电连接。

5.如权利要求2所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述第一金属化过孔在所述上基板的外缘呈环形阵列分布，所述第二金属化过孔在所述下基板的外缘呈环形阵列分布。

6.如权利要求2所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：位于所述上基板同一板面上的至少两个相邻的所述上基板互联焊盘之间设有上基板公共连接带，至少两个相邻的所述下基板顶层互联焊盘之间设有下基板公共连接带。

7.如权利要求1所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述上基板的顶面上设有用于与所述顶层元器件焊接的顶层焊盘，所述上基板的底面上设有用于与所述底层元器件焊接的底层焊盘。

8.如权利要求1所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述下基板为多层印制电路板。

9.如权利要求1所述的小型化抗干扰电路封装结构，其特征在于：所述屏蔽层为金属屏蔽层。

10.小型化抗干扰电路封装结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

制作上基板，并在上基板内植入屏蔽层；

制作下基板，在所述下基板中部留空；

使所述上基板和所述下基板固接，并使所述上基板和所述下基板导电连接；

将顶层元器件安装于所述上基板的顶面上，将底层元器件安装于位于所述容纳腔中的所述上基板的底面上。