[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包括：

具有主动表面的半导体管芯；

在所述主动表面上的导电凸点，其被配置成将所述半导体管芯电耦合到外部电路，所述导电凸点具有间隔高度(stand-off height)；

电介质，其包封所述半导体管芯和所述导电凸点；以及

在所述电介质中的多个填料，所述填料中的每个填料包括直径，其中所述填料的最大直径小于所述间隔高度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述多个填料由半导体氧化物构成。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括：

在所述主动表面上的导电衬垫；

钝化部，其部分地覆盖所述导电衬垫并且在所述主动表面之上，

其中所述导电凸点位于所述导电衬垫上。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中从所述钝化部的顶部到所述导电凸点的顶表面测量所述间隔高度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述电介质包括与所述半导体管芯的所述主动表面平行且靠近的表面，所述电介质的所述表面与所述导电凸点的顶表面共面。

6.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其进一步包括在所述钝化部与所述电介质之间的缓冲层。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其中所述缓冲层包括聚合材料。

8.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中所述钝化部包括无机材料。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电凸点包括铜凸块。

10.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其进一步包括在所述导电凸点的所述顶表面和所述电介质的所述表面之上的重新分布层RDL。

11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其进一步包括：

电连接到所述RDL的凸点下金属化结构；以及

在所述凸点下金属化结构之上的焊球。

12.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中在所述电介质中，所述多个填料的体积含量小于约70％。

13.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述填料的最大直径为约20微米。

14.一种半导体封装结构，其包括：

具有主动表面的半导体管芯；

在所述主动表面上的导电衬垫；

钝化部，其部分地覆盖所述衬垫并且在所述主动表面之上；

在所述导电衬垫上的导电凸点，其被配置成将所述半导体管芯电耦合到外部电路；以及

包封体，其包封所述半导体管芯和所述导电凸点，其中对于JESD22-A104G试验，所述半导体封装结构的通过率大于95％。

15.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其中所述包封体是具有多个二氧化硅球的应力释放层，所述二氧化硅球中的每个二氧化硅球具有直径，所述二氧化硅球的最大直径小于所述导电凸点的间隔高度(stand-off height)，从而在所述JESD22-A104G试验期间减少了在所述钝化部与所述应力释放层之间产生的应力。

16.根据权利要求15所述的半导体封装结构，其中从所述钝化部的顶部到所述导电凸点的顶部测量所述导电凸点的所述间隔高度。

17.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其中所述导电凸点的顶部与所述包封体的顶部共面。