[发明专利]一种卷对卷层压式钙钛矿LED及其制备方法

权利要求书

1.一种卷对卷层压式钙钛矿LED的制备方法，其特征在于，采用两片有氧化铟锡ITO导电薄膜覆盖的柔性衬底，其中一片作为阳极，另一片作为阴极；具体步骤为：

（1）在阳极ITO导电柔性衬底上制备空穴传输层和钙钛矿发光层；并进行退火热处理；

（2）在阴极ITO导电柔性衬底上制备电子传输层和钙钛矿发光层；并进行退火热处理；

（3）将两片柔性衬底对向放置，将钙钛矿发光层贴合，通过加压加热，使两片柔性衬底上的钙钛矿紧密贴合为一体，得到完整结构的钙钛矿发光二极管。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ITO导电柔性衬底中，ITO导电薄膜厚度为80～240nm，柔性衬底材料选自PET、PEN、PI。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层，采用真空蒸镀或印刷的方式制备于阳极ITO导电薄膜表面，材料选自PEDOT：PSS、TFB、Poly-TPD、CBP、PVK、NPD、NiOx、MoOx；空穴传输层厚度为30～60nm；空穴传输层薄膜的退火热处理温度为50～150℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电子传输层，采用真空蒸镀或印刷的方式制备于阴极ITO导电薄膜表面，材料选自ZnO、TPBI、Bphen、LiF；电子传输层厚度为20～60nm；电子传输层薄膜的退火热处理温度为80～200℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿发光层，采用真空蒸镀或印刷的方式分别制备于空穴传输层和电子传输层表面，材料选自CsPbX₃-PEO、CH₃NH₃PbX₃、FA_nMA_1-nPbX₃、(NMA)₂(FAPbX₃)_n-1 PbX₄、CsPbX₃量子点，X为Cl、Br、I中的一种或两种的组合，根据所需发光波长调节X中元素的比例，PEO为聚氧化乙烯；钙钛矿发光层单层厚度为30～70nm；退火热处理温度为80～100℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述两个钙钛矿发光层贴合，是将两片柔性衬底对向放置，将钙钛矿发光层贴合，压力为5～10MPa，加热温度为70～100℃，持续时间10～15分钟。

7.一种由权利要求1-6之一所述制备方法得到的卷对卷层压式钙钛矿LED，器件结构依次为：柔性衬底/阳极ITO/空穴传输层/钙钛矿发光层/电子传输层/阴极ITO/柔性衬底；工作时，阳极ITO导电薄膜与外接电源正极相连，阴极ITO导电薄膜与外接电源负极相连。