[发明专利]一种PECVD方式生长致密薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910981152.7 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110684966A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 范思大;崔虎山;邹志文;丁光辉;邹荣园;吴志浩;许开东;陈璐 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/56 | 分类号： | C23C16/56;C23C16/22;C23C16/505 |
| 代理公司： | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄欣 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 惰性气体 介质薄膜 沉积 轰击 薄膜 致密薄膜 氮气 惰性等离子体 薄膜致密性 等离子能量 氩气 循环模式 增强薄膜 氢气 氢原子 悬挂键 致密性 生长 氦气 氖气 热台 吸附 氙气 修复 | ||
【权利要求书】：
1.一种PECVD方式生长致密薄膜的方法，其特征在于：通过PECVD方式预沉积介质薄膜后，再采用惰性气体轰击上述介质薄膜的方式增强薄膜致密性；
所述惰性气体选自氩气、氦气、氙气、氖气、氢气、氮气或以上气体的任意组合。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述预沉积的介质薄膜的厚度为0.2-20nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述介质薄膜可以为氮化硅、氧化硅、非晶硅、氮氧化硅、碳化硅或氮碳化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述惰性气体的轰击功率高于所述PECVD工艺的沉积功率。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述惰性气体的轰击时间为1-200s。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述惰性气体的流量范围为100-10000sccm。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述工艺压强为100-10000 mTorr。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述轰击功率为10~3000 W。
9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述工艺温度为100~450℃。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：PECVD方式预沉积与惰性气体轰击为一个循环，可以增减循环次数控制待沉积薄膜厚度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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