[发明专利]PERC太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种制备PERC太阳能电池的方法，所述方法包括：

在硅片表面上形成绒面，所述硅片为P型硅；

利用掺杂剂在形成绒面后的所述硅片的正面进行扩散，以形成第一N型硅区域，扩散后的硅片具有150-250Ω/□的方阻；

使用激光对所述硅片的正面进行掺杂，以进一步形成第二N型硅区域，所述第二N型硅区域比所述第一N型硅区域具有更高的掺杂浓度；

在激光掺杂后的所述硅片的正面印刷正电极主栅；以及

在激光掺杂后的所述硅片的正面印刷正电极细栅，使得所述正电极细栅和所述正电极主栅直接电连接在一起。

2.根据权利要求1所述的方法，其中利用掺杂剂在形成绒面后的所述硅片的正面进行扩散包括：

通过低压扩散工艺并且通过逐步变温的方式进行沉积，从而在所述硅片的表面获得低表面浓度。

3.根据权利要求2所述方法，其中扩散所需的时间为50-100分钟，以及所述变温沉积至少在以下条件下进行：

沉积时的炉内压力为30-500mba，沉积温度范围为700-880℃，作为所述掺杂剂的POCL₃的流量为100-800sccm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中扩散后的所述硅片具有小于等于5.5％的方阻片间均匀性。

5.根据权利要求1所述的方法，其中印刷所述正电极主栅包括：

采用低目数网板以及Ag浆料、通过丝网印刷来形成所述正电极主栅。

6.根据权利要求5所述的方法，其中经印刷的所述正电极主栅的增重为0.015g-0.050g，所述正电极主栅的高度为8-15μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中印刷所述正电极细栅包括：

采用Ag浆料、通过丝网印刷来形成所述正电极细栅。

8.根据权利要求7所述的方法，其中经印刷的所述正电极细栅的增重为0.015g-0.050g，所述正电极细栅的高度为8-15μm，所述正电极细栅的宽度为20-35μm。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在激光掺杂之后以及印刷所述正电极主栅和所述正电极细栅之前，还包括：

对激光掺杂后的所述硅片的背面及四周进行刻蚀；

对刻蚀后的所述硅片进行退火处理；

在退火处理后的所述硅片的背面沉积钝化膜；

在退火处理后的所述硅片的正面沉积用于降低反射率的膜；以及

使用激光对所述背面上的钝化膜进行开孔或开槽，并且在所述硅片的背面形成背电极和背电场部。

10.根据权利要求1或8所述方法，还包括：

在印刷所述正电极主栅以及印刷所述正电极细栅之后分别对所述硅片进行烧结，其中烧结的温度为150-900℃。

11.根据权利要求1所述的方法，其中制备完成后的所述PERC太阳能电池具有120-220Ω/□的方阻。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述PERC太阳能电池为单晶硅PERC太阳能电池。

13.一种PERC太阳能电池，采用根据权利要求1至12中任一项所述的方法进行制备。