[发明专利]像素阵列基板有效
申请号: | 201910978894.4 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN110707099B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 蔡尧钧;庄铭宏 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H04M1/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋洋;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列基板,包括:
一基板,具有一透视窗、一线路区及一主动区,其中该线路区位于该透视窗的周围,而该线路区位于该主动区与该透视窗之间;
多个像素,设置于该主动区,其中所述多个像素的每一个包括一第一信号线、一第二信号线、一主动元件及一像素电极,该第一信号线与该第二信号线交错设置,该主动元件与该第一信号线及该第二信号线电性连接,且该像素电极与该主动元件电性连接;
多条接线,设置于该线路区,其中所述多条接线的每一条与分别位于该透视窗的相对两侧的所述多个像素的多个像素的多条第一信号线电性连接;以及
多条导线,设置于该线路区,其中所述多条导线的每一条与分别位于该透视窗的相对两侧的所述多个像素中的多个像素的多条第二信号线电性连接,
其中,所述多条接线还包括多条外围接线,该第一接线组于该基板上的垂直投影及该第二接线组于该基板上的垂直投影位于所述多条外围接线于该基板上的多个垂直投影与该透视窗之间,而所述多条外围接线与所述多条导线重叠;
所述多条接线包括一第一接线组,该第一接线组包括多条第一接线,所述多条第一接线的每一条具有一第一段及一第二段,该第一段与该第二段之间设有一第一绝缘层,且该第一段与该第二段电性连接;
所述多条接线包括一第二接线组,该第二接线组包括多条第二接线;
所述多条第一接线的一第一接线的该第一段与所述多条第二接线的一第二接线重叠,且该第一接线的该第一段与该第二接线之间设有该第一绝缘层;
该第一绝缘层具有一第一接触窗,该第一接线的该第一段及该第一接线的该第二段通过该第一接触窗电性连接,而该第一接触窗于该基板上的一垂直投影位于该透视窗与所述多条导线于该基板上的多个垂直投影之间;并且
包括多条第一接线的多个所述第一接线组与包括多条第二接线的多个所述第二接线组设置于所述线路区的较靠近所述透视窗之处,而所述多条外围接线设置于所述线路区的较远离所述透视窗之处。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中与该第一接线电性连接的所述多个像素中的多个像素和与该第二接线电性连接的所述多个像素中的多个像素用以显示同一种颜色,且该第一接线与该第二接线具有相同的极性。
3.如权利要求1所述的像素阵列基板,还包括:
一多路复用器,包括一第一晶体管及一第二晶体管,其中该第一接线电性连接至该第一晶体管的一第一端,该第二接线电性连接至该第二晶体管的一第一端,该第一晶体管的一控制端电性连接至该第二晶体管的一控制端,而该第一晶体管的一第二端及该第二晶体管的一第二端分别电性连接至多个信号端。
4.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中所述多个像素的每一个还包括一共用电极,所述多个像素中的多个像素的多个共用电极连接成一触控感测垫,而该像素阵列基板还包括:
一第二绝缘层,设置于该第二接线上;
一触控走线,设置于该第二绝缘层上,且与该触控感测垫电性连接,其中该触控走线重叠于该第一接线的该第一段及该第二接线。
5.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中所述多条接线还包括一第三接线组,该第三接线组包括多条第三接线,所述多条第三接线的每一条具有一第一段及一第二段,所述多条第三接线的该每一条的该第一段与所述多条第三接线的该每一条的该第二段之间设有一第二绝缘层,且所述多条第三接线的该每一条的该第一段与所述多条第三接线的该每一条的该第二段电性连接;所述多条第三接线的一第三接线的该第一段与该第一接线的该第一段及该第二接线重叠。
6.如权利要求5所述的像素阵列基板,其中与该第一接线电性连接的所述多个像素的多个像素、与该第二接线电性连接的所述多个像素的多个像素和与该第三接线电性连接的所述多个像素的多个像素用以显示同一种颜色,且该第一接线、该第二接线及该第三接线具有相同的极性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的