[发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成有机层，所述有机层中具有露出所述基底的开口；

进行多次阻断图形化处理，在所述开口露出的所述基底上形成阻断结构，所述阻断结构适于作为刻蚀所述基底的掩膜，所述阻断图形化处理的步骤包括：在所述有机层的表面以及所述基底上保形覆盖阻断材料层；去除高于所述有机层的顶面的所述阻断材料层；去除高于所述有机层顶面的所述阻断材料层后，去除部分厚度的所述有机层；去除部分厚度的所述有机层后，去除剩余的所述有机层露出的所述阻断材料层；

形成所述阻断结构后，去除剩余的所述有机层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：去除剩余的所述有机层后，对所述阻断结构进行离子掺杂，适于增强所述阻断结构的硬度。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入的方式对所述阻断结构进行离子掺杂。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述阻断结构进行离子掺杂的步骤中，掺杂的离子包括C、N、Si和B中的一种或多种。

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述阻断材料层。

6.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻断材料层的材料包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼和碳氮化硼中的一种或多种。

7.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述阻断结构后，所述阻断结构的顶面的最高点至最低点的距离小于10纳米。

8.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻断图形化处理的次数为2次至5次。

9.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的所述有机层的过程中，去除部分厚度的所述有机层的厚度为10纳米至30纳米。

10.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺或者灰化工艺去除部分厚度的所述有机层。

11.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除剩余的所述有机层露出的所述阻断材料层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除剩余的所述有机层露出的所述阻断材料层的过程中，所述干法刻蚀工艺采用的刻蚀气体包括：碳氟气体和碳氢氟气体中的一种或两种。

13.如权利要求1至4任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：衬底、位于所述衬底上的分立的核心层、以及保形覆盖所述核心层和衬底的侧墙材料层；

形成所述有机层的步骤中，所述开口露出所述核心层之间的区域；

形成所述阻断结构的过程中，所述阻断结构形成在所述核心层之间，且所述阻断结构顶面高于或齐平于所述核心层顶部的所述侧墙材料层的顶面。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述阻断结构的步骤中，所述阻断结构顶面至所述核心层顶部的所述侧墙材料层的顶面的距离小于10纳米。

15.一种晶体管，其特征在于，采用如权利要求1至14任一项所述方法形成的半导体结构。