[发明专利]一种铁电薄膜的周期性条带畴结构的表征方法有效
申请号: | 201910977182.0 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN110634871B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 翟俊杰;李忠文;南峰;李冠男;周舟;黄煜焱 | 申请(专利权)人: | 淮阴工学院 |
主分类号: | H01L27/11507 | 分类号: | H01L27/11507 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张华蒙 |
地址: | 223005 江苏省淮安市洪泽区东七街三号高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 周期性 条带 结构 表征 方法 | ||
1.一种铁电薄膜的周期性条带畴结构的表征方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:使用PLD方法制备BFO薄膜;所述的PLD方法,沉积温度为700℃,氧压为100mTorr;沉积完毕后,氧压升高为760Torr,然后以5℃/min降至室温;
S2:物相表征研究BFO薄膜的晶相、形貌和铁电性;所述的物相表征的方法是,在条带畴所在区域的形貌表征采用基于SPM的原子力显微镜,针尖驱动频率为76KHz;形貌为尖峰状的周期性条带是存在109°条带畴的形貌表征目标区域;
S3:运用矢量压电力显微镜PFM对BFO薄膜表征,分析获得铁电条带畴的畴结构;所述的表征的方法是使用矢量PFM技术,面外PFM针尖驱动频率为300~400KHz,面内PFM针尖驱动频率为1.0~1.2MHz;在所述的PFM针尖设有导电涂层,所述的导电涂层为Pt/Ir;矢量PFM技术的具体方法是:第一步表征薄膜的初始状态极化分布,第二步表征薄膜的写入状态极化分布,第三步表征样品顺时针旋转90°后的极化分布,第四步分析表征结果确定条带畴的畴结构;
S4:采用导电原子力显微镜CAFM对BFO薄膜表征,获得铁电条带畴的畴壁导电,具体为:先使用AFM和矢量PFM表征确认条带畴的畴壁位置,然后使用CAFM表征畴壁电流;CAFM施加的电压低于样品的矫顽电压,CAFM针尖设有导电涂层Pt/Ir。
2.根据权利要求1所述的一种铁电薄膜的周期性条带畴结构的表征方法,其特征在于:步骤S1中,所述的PLD方法,在衬底上依次沉积底电极、铁电层;所述的衬底为DyScO3,晶向为(110);所述的底电极为SrRuO3,厚度为4nm;所述的铁电层为BFO,厚度为100nm。
3.根据权利要求1所述的一种铁电薄膜的周期性条带畴结构的表征方法,其特征在于:所述的步骤S3中,找到至少包含两种斜切角的3-4μm2范围区域并使用PFM方法扫描,微调样品放置方向使PFM图像中周期性条带畴与面内垂直方向成45°夹角,并预先使用PFM针尖电压在两个斜切角的交界处将条带畴的局部进行极化。
4.根据权利要求3所述的一种铁电薄膜的周期性条带畴结构的表征方法,其特征在于:步骤S3中,在所述的矢量PFM表征薄膜的写入状态极化分布,是预先使用PFM针尖偏压在局域将条带畴的极化翻转,局域极化分两种情形,第一种是在两个斜切角的交界处,第二种是在同一斜切角的内部,这两种情形都在3-4μm2范围内;第二种情形在写入前顺时针旋转样品10°,写入后再逆时针旋转样品10°进行下一步表征。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的