[发明专利]壳体及其制备方法和电子设备

权利要求书

1.一种壳体，其特征在于，包括：

基底，具有第一表面，所述第一表面上具有图案区域；

氮化铬层，设置在所述第一表面上，并覆盖至少部分所述图案区域；及

铬层，设置在所述氮化铬层的远离所述基底的一侧。

2.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述铬层与所述氮化铬层完全重合地重叠在一起。

3.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述基底在所述图案区域处的材料为陶瓷。

4.根据权利要求3所述的壳体，其特征在于，所述基底为陶瓷基底。

5.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述氮化铬层的厚度为1nm～100nm，所述铬层的厚度为1nm～150nm。

6.根据权利要求1～5任一项所述的壳体，其特征在于，还包括保护膜，所述保护膜设置在所述第一表面上，且覆盖所述铬层。

7.根据权利要求6所述的壳体，其特征在于，所述保护膜为防指纹膜。

8.一种壳体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底，所述基底具有第一表面，所述第一表面上具有图案区域；

在所述第一表面上形成氮化铬层，且所述氮化铬层覆盖至少部分所述图案区域；及

在所述氮化铬层的远离所述基底的一侧形成铬层，得到壳体。

9.根据权利要求8所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述在所述第一表面上形成氮化铬层，且所述氮化铬层覆盖至少部分所述图案区域的步骤包括：

在所述基底的部分区域印刷油墨，所述油墨围绕所述图案区域，固化，形成油墨层；及

对所述基底进行镀膜处理，以形成所述氮化铬层。

10.根据权利要求9所述的壳体的制备方法，其特征在于，对所述基底进行镀膜处理，以形成所述氮化铬层的步骤中，镀膜方式为磁控溅射，靶材为铬，真空度为3.0×10^-3Pa～1.0×10^-3Pa，气体氛围为氩气和氮气的混合气体，所述氩气的流量为100SCCM～300SCCM，所述氮气的流量为100SCCM～350SCCM。

11.根据权利要求9所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述在所述氮化铬层的远离所述基底的一侧形成铬层的步骤包括：

对形成有所述氮化铬层的所述基底进行镀膜处理，以在所述氮化铬层的远离所述基底的一侧形成所述铬层；及

去除所述油墨层。

12.根据权利要求11所述的壳体的制备方法，其特征在于，对形成有所述氮化铬层的所述基底进行镀膜处理，以在所述氮化铬层的远离所述基底的一侧形成所述铬层的步骤中，镀膜方式为磁控溅射，靶材为铬，真空度为3.0×10^-3Pa～1.0×10^-3Pa，气体氛围为氩气，所述氩气的流量为200SCCM～400SCCM。

13.根据权利要求11所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述油墨为水溶性油墨，去除所述油墨层的方式为水洗。

14.根据权利要求8～13任一项所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述在所述第一表面上形成氮化铬层，且所述氮化铬层覆盖至少部分所述图案区域的步骤之前，还包括对所述基底依次进行清洁处理的步骤。

15.根据权利要求8～13任一项所述的壳体的制备方法，其特征在于，在所述氮化铬层的远离所述基底的一侧形成铬层的步骤之后，还包括如下步骤：在所述第一表面上形成保护膜，且所述保护膜覆盖所述铬层。