[发明专利]一种超薄太阳光黑硅吸波器及其制备方法

权利要求书

1.一种超薄太阳光黑硅吸波器，其特征在于：包括基底层和超表面结构层，超表面结构层连接于基底层上表面；基底层和超表面结构层的材料均为硅，超表面结构层的厚度为120～200纳米，超表面结构层含有若干大小不一、无规则的凹陷空腔；其中，大小不一、无规则是指凹陷空腔的面积从10平方纳米到500平方纳米变化、凹陷空腔的深度从10纳米到280纳米变化，相邻凹陷空腔的间隔从10纳米到100纳米变化。

2.根据权利要求1所述的超薄太阳光黑硅吸波器，其特征在于：还包括金属层，金属层由金、银、铜或铝制成。

3.根据权利要求2所述的超薄太阳光黑硅吸波器，其特征在于：所述的金属层的厚度为10～30纳米。

4.根据权利要求1所述的超薄太阳光黑硅吸波器的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、准备洁净的硅片；

步骤2、运用镀膜技术在所述的硅片上形成一层金属膜；

步骤3、对所述的金属膜进行颗粒化处理，使金属膜成为金属颗粒层，金属颗粒层中的金属颗粒大小不一，半径从50纳米到200纳米变化；

步骤4、将所述的包含金属颗粒层的硅片浸入刻蚀溶液中刻蚀，使金属颗粒层消失并在所述的硅片表面形成大小不一、无规则的凹陷空腔，得到超薄太阳光黑硅吸收器。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述的镀膜技术是磁控溅射法、电子束蒸镀法、脉冲激光沉积法或原子层沉积法。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述的金属膜的材料为金。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述的颗粒化处理是运用热处理技术对金属膜进行颗粒化处理。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述的刻蚀是化学刻蚀，刻蚀溶液为氟化氢溶液。

9.根据权利要求4～8任一权利要求所述的方法，其特征在于：还包括以下步骤：

步骤5、运用镀膜技术在所述的硅片含有凹陷空腔的一侧形成一层金属层，金属层的材料为金、银、铜或铝。