[发明专利]阵列基板以及显示母板

权利要求书

1.一种阵列基板，设有存储电容电路，其特征在于：

所述阵列基板具有第一区域以及第二区域，所述第二区域位于所述阵列基板的边缘，且包围所述第一区域；

所述存储电容电路包括第一电容电路与第二电容电路，所述第一电容电路包括多个第一存储电容且位于所述第一区域，所述第二电容电路包括多个第二存储电容且位于所述第二区域，所述第一存储电容的电容量大于所述第二存储电容的电容量；

位于边缘的所述第二区域内的所述第二存储电容的电容量相对于第一存储电容较小，充电速率相对于第一存储电容较快，

相对于所述第一存储电容，所述第二存储电容更快为相应的驱动晶体管的栅极提供数据信号，进而使得位于第二区域内的各子像素的像素电极得以充电充分，从而对位于第二区域的显示亮度低于第一区域内的子像素亮度的各子像素进行补偿，使其亮度与位于第一区域内的各子像素的亮度一致。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一存储电容包括第一极板、第二极板以及第一绝缘介质，所述第一极板与所述第二极板相对设置，所述第一绝缘介质位于所述第一极板与所述第二极板之间；

所述第二存储电容包括第三极板、第四极板以及第二绝缘介质，所述第三极板与所述第四极板相对设置，所述第二绝缘介质位于所述第三极板与所述第四极板之间；

所述第二绝缘介质的厚度大于所述第一绝缘介质的厚度。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括电容介质层，所述电容介质层的位于所述第一区域内的部分为第一介质部，所述第一介质部包括所述第一绝缘介质，所述电容介质层位于所述第二区域内的部分为第二介质部，所述第二介质部包括所述第二绝缘介质，所述第二介质部的厚度大于所述第一介质部的厚度。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质部与所述第二介质部材料相同。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质部与所述第二介质部同步形成。

6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘介质的厚度比所述第一绝缘介质的厚度大10纳米至20纳米。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一存储电容包括第一极板、第二极板以及第一绝缘介质，所述第一极板与所述第二极板相对设置，所述第一绝缘介质位于所述第一极板与所述第二极板之间；

所述第二存储电容包括第三极板、第四极板以及第二绝缘介质，所述第三极板与所述第四极板相对设置，所述第二绝缘介质位于所述第三极板与所述第四极板之间；

所述第二绝缘介质的介电常数小于所述第一绝缘介质的介电常数。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一存储电容包括第一极板、第二极板以及第一绝缘介质，所述第一极板与所述第二极板相对设置，所述第一绝缘介质位于所述第一极板与所述第二极板之间；

所述第二存储电容包括第三极板、第四极板以及第二绝缘介质，所述第三极板与所述第四极板相对设置，所述第二绝缘介质位于所述第三极板与所述第四极板之间；

所述第一极板与所述第二极板的正对面积为S1，所述第三极板与所述第四极板的正对面积为S2，S2S1。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二区域在阵列基板中的空间占比为1%至20%。

10.一种显示母板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。