[发明专利]存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910973293.4 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110707093A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 余兴;蒋维楠 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;G11C16/30 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 读取单元 衬底 电荷量 光源 读取 第二面 电荷数 阱电荷 拓展 | ||
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面；
位于所述衬底内的若干光电存储区，每个所述光电存储区的满阱电荷数为第一电荷量Q1；
位于所述第二面上的若干光源，且每个光源位于一个光电存储区上；
位于所述第一面上的若干读取单元，且每个所述读取单元位于一个光电存储区上，所述读取单元的最低读取电荷数为第二电荷量Q2，所述Q1与所述Q2的比值大于或等于2。
2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述光电存储区为N进制存储器，所述N为大于或等于2的自然数。
3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述N为8、10或16。
4.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述Q2的范围为Q1/2N～Q1/N。
5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，当所述Q1为10000、所述N为10时，所述Q2的范围为500～1000。
6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，每个光电存储区包括：阱区及位于所述阱区内的光电掺杂区，所述阱区与所述光电掺杂区反型。
7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：位于相邻所述光电存储区之间的隔离结构。
8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述读取单元包括读取电路。
9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述光源包括LED、石墨烯纳米阵列或激光光纤。
10.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述光电存储区呈阵列排布，所述光源呈阵列排布，所述读取单元呈阵列排布。
11.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述光源在所述第二面上的投影位于所述光电存储区内。
12.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：位于相邻所述光源之间的屏蔽结构。
13.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述光源的尺寸为0.1μm～3μm。
14.一种形成如权利要求1至13任一项所述的存储器的方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
