[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有存储单元阵列区和周边电路区；

在所述存储单元阵列区和所述周边电路区中形成第一绝缘介质层，并图形化所述存储单元阵列区中的所述第一绝缘介质层，定义出源/漏接触孔隔离沟槽；

形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层填充所述源/漏接触孔隔离沟槽，且与所述第一绝缘介质层表面齐平；

在所述存储单元阵列区和所述周边电路区表面形成图案转移层；所述图案转移层包括硬掩膜层和抗反射涂层，所述抗反射涂层位于所述硬掩膜层之上；

分步图形化所述存储单元阵列区的所述图案转移层和所述周边电路区的所述图案转移层，形成存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形，且所述存储单元阵列区待转移图形的高度小于所述周边电路区待转移图形的高度；

以所述存储单元阵列区待转移图形和所述周边电路区待转移图形为窗口，去除相邻所述源/漏接触孔隔离沟槽之间的所述第一绝缘介质层和所述周边电路区中的所述第一绝缘介质层，以在所述存储单元阵列区形成源/漏接触孔图形，并在所述周边电路区形成源/漏接触孔图形；所述存储单元阵列区中形成的源/漏接触孔图形和所述周边电路区中形成的源/漏接触孔图形基于同一刻蚀工序同时形成；

其中，分步图形化所述存储单元阵列区的所述图案转移层和所述周边电路区的所述图案转移层，形成存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形，包括：

在所述抗反射涂层上形成第一光刻胶层，进行第一次光刻工艺，图形化所述抗反射涂层，使得所述存储单元阵列区和所述周边电路区中形成抗反射涂层图形；

形成第二光刻胶层，并进行第二次光刻工艺，图形化刻蚀所述第二光刻胶层以暴露出所述周边电路区内的所述抗反射涂层图形；

蚀刻所述周边电路区中的所述硬掩膜层，以将所述周边电路区内的所述抗反射涂层图形转移到所述硬掩膜层中，形成所述周边电路区待转移图形；

去除所述第二光刻胶层，暴露出所述存储单元阵列区的所述抗反射涂层图形，形成所述存储单元阵列区待转移图形。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶层中的图形与所述周边电路区内的所述抗反射涂层图形完全重叠。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，蚀刻所述周边电路区中的所述硬掩膜层，包括：

以所述抗反射涂层图形为掩膜，利用干法刻蚀工艺对所述周边电路区中的所述硬掩膜层进行刻蚀。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层刻蚀选择比的范围为1：1至1：10。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层包括由两种绝缘介质组成的叠层结构。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述存储单元阵列区和所述周边电路区的所述源/漏接触孔图形内形成导电层，形成源/漏接触孔导线。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述源/漏接触孔图形内形成导电层，形成所述源/漏接触孔导线，包括：

在所述源/漏接触孔图形内填充非金属导电层，回蚀刻所述非金属导电层，使得所述非金属导电层顶表面低于所述源/漏接触孔图形的顶表面；

在所述源/漏接触孔图形内填充金属导电层，所述金属导电层位于所述非金属导电层顶表面上，所述金属导电层与所述非金属导电层共同构成源/漏接触孔导线。

8.如权利要求1至7任一所述制作方法，其特征在于，所述源/漏接触孔图形包括电容接触孔图形。