[发明专利]一种高纯氧化镓的制备方法及制备装置在审
申请号: | 201910971014.0 | 申请日: | 2019-10-12 |
公开(公告)号: | CN110627112A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 南长斌;彭寿;潘锦功;傅干华;马立云;郑林;蒋猛 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00 |
代理公司: | 51237 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李华;温黎娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化镓 高纯 制备 羟基氧化镓 烘干 反应生成混合物 高温水热反应 煅烧混合物 水分蒸发 制备装置 混合物 金属镓 水混合 逸出 煅烧 过滤 分解 申请 | ||
本发明公开一种高纯氧化镓的制备方法,包括如下步骤:金属镓与水混合反应生成混合物;混合物过滤并烘干;煅烧混合物,生成氧化镓。通过高温水热反应制备出羟基氧化镓和氧化镓,再烘干并煅烧,使羟基氧化镓分解为氧化镓和水,水分蒸发逸出后,即获得高纯氧化镓。本申请还提供一种用于制备高纯氧化镓的制备装置。
技术领域
本发明涉及氧化镓的制备领域,具体涉及一种高纯氧化镓的制备方法及制备装置。
背景技术
氧化镓是一种优良的宽带隙半导体,具有优良的电学和光学性质,被用于制备气敏传感器、紫外探测器、薄膜电致发光器件显示器件、透明导电薄膜,并展现出广阔的发展前景和应用空间。高纯氧化镓是制备钆镓石榴石的原料,钆镓石榴石单晶是液相外延YIG(钇铁石榴石)以及类YIG等磁光薄膜的理想衬底材料。
目前高纯氧化镓的制备方法很多,例如:以镓为原料,通过在碱液中三段电解法制得高纯氧化镓;采用Ga(NO3)3·xH2O为主要原料,添加无水乙醇和氨水后采用微波水热技术方法制备高纯氧化镓;使金属镓与硫酸反应生成硫酸镓,硫酸镓再与硫酸铵在水溶液中聚合结晶析出硫酸镓铵晶体,硫酸镓铵晶体经过烘干、焙烧,获得高纯氧化镓。
问题在于,上述制备方法中,三段电解法和硫酸钾接结晶提纯法的工艺流程长,耗时大,工艺复杂,不利于大规模高效地制备氧化镓;微波水热法难以彻底反应,容易有杂质残留,无法保证氧化镓的纯度。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种高纯氧化镓的制备方法,通过高温水热反应制备出羟基氧化镓和氧化镓,再烘干并煅烧,使羟基氧化镓分解为氧化镓和水,水分蒸发逸出后,即获得高纯氧化镓。本申请还提供一种用于制备高纯氧化镓的制备装置。
为解决以上技术问题,本发明提供的技术方案是一种高纯氧化镓的制备方法,包括如下步骤:
金属镓与水混合反应生成混合物;
混合物过滤并烘干;
煅烧混合物,生成氧化镓。
优选的,所述金属镓与水混合反应生成混合物步骤,具体为:
取金属镓与水混合,镓与水的质量比为1:2-1:8;
将镓和水的混合物放入高压反应容器中,在150-250℃温度下反应1-1.5h,生成羟基氧化镓和氧化镓。
优选的,镓和水在高压反应容器中反应时持续进行搅拌。
优选的,所述煅烧混合物步骤,具体为:混合物在700-800℃温度下煅烧1-2h。
优选的,所述金属镓与水混合反应生成混合物步骤,添加原料包括金属镓、水和滤出液,所述滤出液来自混合物过滤并烘干步骤。
优选的,所述金属镓的纯度为4N,所述水为去离子水。
本发明还提供一种高纯氧化镓制备装置,包括高压容器,所述高压容器内设有电机驱动的搅拌杆,所述搅拌杆端部设有至少两组搅拌叶片,每组所述搅拌叶片之间的投影不重叠。
优选的,所述高压容器内设有带通孔的隔板,所述搅拌杆穿过通孔设置,所述电机和搅拌叶片分设在隔板两侧。
本申请与现有技术相比,其有益效果为:
金属镓与水反应后生成羟基氧化镓和氧化镓和混合物,通过烘干煅烧,即可使羟基氧化镓分解为氧化镓,简化了生产流程。制备过程中除了水无需其他化学药剂的掺杂,无需对反应物进行分离提纯操作,避免了杂质离子的混入影响纯度。
高压反应容器中,水的沸点增加,使得水热反应可以在更高的温度情况下进行,提高了反应速率和反应进行的程度。
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