[发明专利]基于分布式注入与变压器的宽带注入锁定分频器

权利要求书

1.一种基于分布式注入与变压器的宽带注入锁定分频器，包括一号变压器和二号变压器，其特征在于，所述一号变压器的一号初级线圈(L₁)一端接地，另一端连接一号输出缓冲器(Buffer1)的输入端；所述一号变压器的一号次级线圈(L₂)一端与电压源(V_DD)连接，另一端与一号第三级线圈(L₃)连接，且分别连接二号nMOS注入管(M₅)和二号pMOS注入管(M₆)的漏极；所述一号变压器的一号第三级线圈(L₃)一端与一号次级线圈(L₂)连接，另一端分别连接一号交叉耦合管(M₁)漏极、二号交叉耦合管(M₂)栅极、一号nMOS注入管(M₃)漏极、一号pMOS注入管(M₄)漏极；

所述二号变压器的二号初级线圈(L₄)一端接地，另一端连接二号输出缓冲器(Buffer2)的输入端；所述二号变压器的二号次级线圈(L₅)一端与电压源(V_DD)连接，另一端与二号变压器的二号第三级线圈(L₆)连接，且分别连接二号nMOS注入管(M₅)和二号pMOS注入管(M₆)的源极；所述二号变压器的二号第三级线圈(L₆)一端与二号次级线圈(L₅)连接，另一端分别连接一号交叉耦合管(M₁)栅极、二号交叉耦合管(M₂)漏极、一号nMOS注入管(M₃)源极、一号pMOS注入管(M₄)源极；

所述一号交叉耦合管(M₁)源极和二号交叉耦合管(M₂)源极均连接电流源管(M₇)漏极，所述电流源管(M₇)源极接地，所述电流源管(M₇)栅极输入控制电压(V_B)；所述一号nMOS注入管(M₃)栅极经三号传输线连(TL₃)连接输入信号负向端(V_inj-)；所述二号nMOS注入管(M₅)栅极依次经四号传输线(TL₄)、三号传输线(TL₃)连接输入信号负向端(V_inj-)；所述一号pMOS注入管(M₄)栅极经一号传输线(TL₁)连接输入信号正向端(V_inj+)；所述二号pMOS注入管(M₆)栅极依次经二号传输线(TL₂)、一号传输线(TL₁)连接输入信号正向端(V_inj+)。

2.根据权利要求1所述的基于分布式注入与变压器的宽带注入锁定分频器，其特征在于，所述一号输出缓冲器(Buffer1)和二号输出缓冲器(Buffer2)的电路结构相同，均包括pMOS输出管(M₈)，所述pMOS输出管(M₈)源极接地，栅极作为输出缓冲器输入端，漏极分别连接电感(L_b)、谐波短路电容(C₂)、输出电容(C_out)；所述电感(L_b)一端连接pMOS输出管(M₈)漏极，另一端分别连接旁路电容(C₁)和电压源(V_DD)，所述旁路电容(C₁)一端连接电感(L_b)，另一端接地；所述谐波短路电容(C₂)一端连接pMOS输出管(M₈)漏极，另一端接地；所述输出电容(C_out)一端连接pMOS输出管(M₈)漏极，另一端作为输出缓冲器输出端。