[发明专利]一种氧化锌纳米棒阵列细胞培养衬底及其制备方法与应用

权利要求书

1.氧化锌纳米棒阵列细胞培养衬底在维持干/祖细胞干性中的应用，所述氧化锌纳米棒阵列细胞培养衬底是将铝箔包裹的导电衬底置于六水合硝酸锌-六次甲基四胺的水溶液中通过水浴法生长得到的，所述氧化锌纳米棒的直径为50~500 nm，长度为0.5~5μm，所述应用的操作步骤如下：

1）将氧化锌纳米棒阵列细胞培养衬底放置于细胞培养孔板中，加入75%酒精浸泡3~12h，同时在无菌操作台中用紫外灯照射30~120 min进行灭菌消毒，用PBS缓冲液将残余酒精清洗干净，将氧化锌纳米棒阵列细胞培养衬底用细胞培养基浸泡过夜，再用PBS缓冲液清洗2~3遍备用；

2）将干/祖细胞接种在步骤1）处理后的氧化锌纳米棒阵列细胞培养衬底上，接种的干/祖细胞悬液的体积为0.02~1mL，包含的细胞个数为3×10³~1×10⁶个，静置10~90 min后，补充细胞培养基，所需补充的细胞培养基体积为0~2 mL，将细胞置于体外培养1~30天，且每2-3天更换一次细胞培养基；

所述氧化锌纳米棒阵列细胞培养衬底的制备步骤如下：

（1）用铝箔将导电衬底包裹起来，露出导电面，所述导电面用于生长氧化锌纳米棒阵列；所述导电衬底为氧化铟锡导电玻璃、氧化铟锡导电薄膜、掺氟的二氧化锡导电玻璃、锌片或多孔泡沫钛；

（2）在20~40℃下，配制六水合硝酸锌-六次甲基四胺的水溶液，所述六水合硝酸锌和六次甲基四胺在水溶液中的浓度均为10~100mM，六水合硝酸锌与六次甲基四胺的摩尔比为1:1；

（3）将步骤（1）中包裹好铝箔的导电衬底放置在步骤（2）配置的六水合硝酸锌-六次甲基四胺的水溶液中，在60~95℃下水浴反应0.5~12h，即得氧化锌纳米棒阵列细胞培养衬底。

2.如权利要求1所述的应用，其特征在于，步骤2）中所述体外培养的条件为37℃含5%CO₂的饱和湿度环境下培养。

3.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述细胞培养基为α-MEM培养基，高糖或低糖DMEM培养基，或1640培养基，并在细胞培养基中添加10%新生牛血清或胎牛血清和1%双抗。

4.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述干/祖细胞为人脂肪来源间充质干细胞、大鼠骨髓间充质干细胞或小鼠胚胎成骨细胞前体细胞。

5.如权利要求1所述的应用，其特征在于，步骤（1）中所述铝箔的尺寸大于导电衬底的尺寸，所述铝箔的尺寸为1 cm×1 cm~5 cm×5 cm。

6.如权利要求1所述的应用，其特征在于，步骤（2）中所述六水合硝酸锌和六次甲基四胺在水溶液中的浓度均为25~80mM。

7.如权利要求1所述的应用，其特征在于，步骤（3）中所述水浴反应的温度为70~90℃，水浴反应时间为4~10h。