[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910969135.1 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110845242A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 孙卫康;汤志强;李庆春;赵东萍;茹红强;王春华 | 申请（专利权）人： | 山东东大新材料研究院有限公司;深圳市东陶新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B38/08 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 李江 |
| 地址： | 261200 山东省潍坊市坊子*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 氮化 陶瓷材料 制备 方法 | ||
1.一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述方法，包括离子碳氮共渗处理、混合、模压成型和烧结。
2.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述的离子碳氮共渗处理中，真空离子碳氮共渗热处理的温度为680-950℃，升温速率为5-20℃/min，保温时间5-30min。
3.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述的离子碳氮共渗处理中，碳源气体为甲烷、丙烷、乙炔，氮源为氮气，碳源与氮源的质量配比为1:(8-15)，混合气源的气压为120-1100Pa。
4.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述的混合中，SiC粉平均粒度为45nm、纯度大于99.9%；MgO粉平均粒度为25nm、纯度大于99.5%；SiO2粉平均粒度为85nm，纯度大于99.5%；Al2O3粉平均粒度为60nm，纯度大于99.9%；PVA溶液的浓度0.3-1.5%。
5.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述的混合中，Si3N4微珠、SiC粉、MgO粉、SiO2粉、Al2O3粉的质量配比为(85-98):(4-8):(1-3):(2-8):(3-6)。
6.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述的模压成型中，模压成型的压力为5-30MPa，保压时间为5-10s。
7.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述的烧结中，升温速率的3-8℃/min，最高温度保温时间为15-60min。
8.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述方法还包括沉降，所述沉降，超声清洗的次数为1-5次，干燥温度为50-120℃，时间为6-12h。
9.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述方法还包括醇洗，所述的醇洗中，空心二氧化硅微珠粒径为5-25μm，壳壁厚为0.2-7.5μm，纯度大于99%。
10.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所得到的多孔Si3N4陶瓷材料，孔隙率为69.5-91.3%，比表面积为3.52-8.24m2/g，一级孔平均直径为3.6-16.6μm，二级孔平均尺寸为40-135nm，弯曲强度为138.4-273.4MPa，压缩强度为23.7-45.1MPa。
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