[发明专利]一种基于金属相MoTe2

权利要求书

1.一种基于金属相MoTe₂的宽光谱InGaAs探测器及其制备方法，其特征在于具体步骤为：

（1）InP衬底上生长n型InP缓冲层；

（2）在n型InP层上生长本征InGaAs层；

（3）在InGaAs层上淀积SiO₂介质层；

（4）选择性刻蚀SiO₂介质层形成刻蚀孔；

（5）将二维金属相MoTe₂材料转移并覆盖该刻蚀孔；

（6）选择性刻蚀外延材料；

（7）在金属相MoTe₂和n型InP上沉积金属电极。

2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述的n型InP缓冲层厚度为0.2 μm ~ 3 μm，掺杂浓度为1×10¹⁸ cm^-3 ~ 5×10¹⁸ cm^-3，掺杂元素为硅。

3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的本征InGaAs层厚度为0.5 μm ~ 3 μm。

4. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的SiO₂介质层厚度为90 nm ~ 300 nm。

5. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）中所述的二维金属相MoTe₂材料，其厚度为1 nm ~ 10 nm，原子层数为1 ~ 10层。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）中所述的金属相MoTe₂与刻蚀孔内裸露的InGaAs材料接触，并形成良好的异质结接触。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（6）中所述的选择性刻蚀外延材料，须刻蚀至n型InP缓冲层。

8.由根据权利要求1-7之一所述方法制备得到的基于金属相MoTe₂的宽光谱InGaAs探测器。