[发明专利]一种磁控溅射制备巨大矫顽力Mn3Ga薄膜的方法有效
| 申请号： | 201910965497.3 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110735119B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 徐锋;唐家轩;徐桂舟 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58;H01F41/18;H01F41/22 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 制备 巨大 矫顽力 mn3ga 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁控溅射制备巨大矫顽力Mn3Ga薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1) 将磁控溅射腔体真空度抽至低于5×10-5 Pa；
2) 在步骤1）的背底真空下，利用永磁靶头与Mn3Ga靶，使用直流电源的恒定功率模式，通入Ar气体，使气压控制在1.0 Pa条件下，在衬底上溅射得到Mn3Ga薄膜；
3) 将步骤2）中所得的Mn3Ga薄膜在高真空环境下进行退火，空冷至60 oC以下取出样品，获得所述的巨大矫顽力Mn3Ga薄膜；
其中，所述的退火温度为500~600 oC，退火时间为20 min。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中，使用直流电源的恒定功率模式，将功率固定为60 W。
3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中，在Si/SiO2衬底上溅射10 min得到300 nm的Mn3Ga薄膜。
4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述的高真空为低于10-5 Pa。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910965497.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：靶材溅镀面粗糙度加工方法
- 下一篇：NbN/MoSN/MoS
- 同类专利
- 专利分类
