[发明专利]半导体单元结构

说明书

一种半导体单元结构包括四个晶体管、两个栅极条、四对导电区段以及多个水平布线。该两个栅极条中的每一个与第一类型主动区域和第二类型主动区域相交。第一导电区段设置为具有第一电源电压。第二导电区段设置为具有第二电源电压。第一栅极条导电地连接到第二导电区段。每个水平布线在一个或多个相应的交叉点上与一个或多个导电区段相交，同时在一个或多个相应的交叉点中的每一个处与一个或多个导电区段在导电上隔离。

技术领域

本揭露系关于一种半导体结构设计布局。

背景技术

最近小型化集成电路(integrated circuit，IC)的趋势已经导致了更小的元件，这些更小的元件消耗更少的功率，但以更高的速度提供更多的功能。小型化过程亦导致对集成电路布局设计的更严格限制。在集成电路的布局设计期间，功能或实体单元往往放置在电路布局中并经布线以形成功能电路。除了用于形成功能电路的正常连接单元之外，集成电路的布局设计往往包括在布局规划中分布的工程变更命令(engineering changeorder，ECO)单元。根据集成电路的原始电路设计，工程变更命令单元在功能上不与正常工作的电子部件连接。当工程变更命令单元连接到正常工作的电子部件时，一些工程变更命令单元可能已经实施了稍后可以在设计修改中使用的功能。一些工程变更命令单元可以具有未连接的晶体管，这些未连接的晶体管稍后连接以在设计修改中执行电路功能。即使工程变更命令单元不参与集成电路的正常功能，工程变更命令单元仍然经受设计规则限制和设计验证检查。

发明内容

本揭露提供一种半导体单元结构，包括第一类型主动区域、第二类型主动区域、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一栅极条、第二栅极条、四对导电区段、以及多个水平布线。第一类型主动区域和第二类型主动区域各自在垂直于一第二方向的一第一方向上延伸。第一晶体管在第一类型主动区域中的两个主动区域之间具有一第一通道区。第二晶体管在第二类型主动区域中的两个主动区域之间具有一第二通道区。第三晶体管在第一类型主动区域中的两个主动区域之间具有一第三通道区。第四晶体管在第二类型主动区域中的两个主动区域之间具有一第四通道区。第一栅极条在第二方向上延伸，在第一通道区上方与第一类型主动区域相交，并在第二通道区上方与第二类型主动区域相交。第二栅极条在第二方向上延伸，在第三通道区上方与第一类型主动区域相交，并在第四通道区上方与第二类型主动区域相交。四对导电区段，每个导电区段在第二方向上延伸，包括：一第一对导电区段中的每个导电区段，在第一晶体管的两个主动区域中的一相应一个上，与第一类型主动区域相交，第一对中的一第一导电区段设置为具有一第一电源电压；第二对导电区段中的每个导电区段，在二晶体管的两个主动区域中的一相应一个上，与二类型主动区域相交，二对中的一第二导电区段设置为具有一第二电源电压；一第三对导电区段中的每个导电区段，在第三晶体管的两个主动区域中的一相应一个上，与第一类型主动区域相交；一第四对导电区段中的每个导电区段，在第四晶体管的两个主动区域中的一相应一个上，与第二类型主动区域相交。多个水平布线在一第一金属层中在第一方向上延伸，水平布线中的每个水平布线在一个或多个相应的交叉点上与四对导电区段中的一个或多个导电区段相交，同时在一个或多个相应交叉点中的每一个交叉点与一个或多个导电区段在导电上隔离。其中第一栅极条导电连接到第二导电区段。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本揭露的各态样。应注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述的清楚性，可以任意地增大或缩小各种特征的尺寸。

图1A至图1B是根据一些实施例的半导体单元结构的布局设计的示意图；

图2A至图2B是根据一些实施例，图1A中的半导体单元结构沿着切割平面P-P′和切割平面Q-Q′的剖视图；

图3A至图3B是根据一些实施例，图1A中的半导体单元结构沿着切割平面P-P′和切割平面Q-Q′的剖视图；

图3C是根据一些实施例，图3A至图3B中的主动区域和隔离区的平面图；