[发明专利]一种用于LDO自适应漏电补偿的电路在审
| 申请号： | 201910961954.1 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110568895A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 杨红伟;吴建刚 | 申请（专利权）人： | 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 32102 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电路 漏电流 采样 自适应补偿电路 温度变换环境 优化设计参数 输出稳定性 误差放大器 漏电 输出 静态电流 接地 常温下 共漏极 共源极 共栅极 自适应 共源 漏极 源极 供电 跟踪 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于LDO自适应漏电补偿的电路，其中LDO的供电PMOS管MPP的栅极与误差放大器EA的输出相接，其特征在于：所述电路接设于电源PMOS管MPP的源极与漏极之间，且电路由采样PMOS管MPS和一对NMOS管相接构成，其中采样PMOS管MPS的栅极和两个PMOS管MPP、MPS的共源极均接输入VIN，电源PMOS管MPP与NMOS管MN2的共漏极为输出VOUT，采样PMOS管MPS与NMOS管MN1的共漏极相接于NMOS管MN1、MN2的共栅极，两个NMOS管共源接地；且采样PMOS和电源PMOS的尺寸比例为1：K1，NMOS管MN1和MN2的尺寸比例为1：K2，K2大于K1。
2.根据权利要求1所述用于LDO自适应漏电补偿的电路，其特征在于：所述误差放大器EA的一个输入端接入参考电压VREF，另一个输入端接入负载反馈电压VFB。
3.根据权利要求1所述用于LDO自适应漏电补偿的电路，其特征在于：所述尺寸比例中，K2为K1的N倍以上，N为大于2的自然数。
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