[发明专利]垂直打线设备及打线方法在审
申请号: | 201910960078.0 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN112652549A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 黄晗;林正忠;吴政达;陈彦亨;赵梦波 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B23K26/38;B23K7/00;B23K101/40 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 设备 方法 | ||
本发明提供一种垂直打线设备及打线方法,垂直打线设备包括:劈刀,劈刀具有供金属线穿过的线孔;切割器,切割器对准劈刀下端口外侧的目标切割点,用于从目标切割点切割金属线以及对金属线的端部进行熔化以形成金属球;移动装置,提供劈刀及切割器的垂直移动,并使得切割器始终对准劈刀下端口外侧的目标切割点。本发明将切割器与劈刀固定在一起,使其同时上下运动,由于切割器与劈刀固定,所以垂直打线高度不受影响,可以消除垂直金属线的长度限制,获得长度较大的垂直金属线,同时,垂直金属线不会受到额外的弯折,进而可以避免金属线相对于底球中心的偏移。
技术领域
本发明半导体封装领域,特别是涉及一种垂直打线设备及打线方法。
背景技术
近年来,“更快、更小、更便宜、更可靠”已成为推动半导体技术领域发展的目标。半导体制备领域通过不断减小最小特征尺寸、增加封装叠层来提高集成电路的密度,以顺应“更小”的目标,在此基础上“更快、更便宜、更可靠”也是不容忽视的。
集成电路的所有计算和通信系统都需要通过电力传输子系统供电,电力传输子系统将电源的高电压转换为集成电路中各分立器件所需的不同电压并进行传输,在堆叠封装芯片中,连接各层芯片、用于传输功率信号的导线决定了信号传输损失的大小,这对于为上下层芯片提供垂直引线的机台提出了挑战。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种垂直打线设备及打线方法,用于解决现有技术中垂直金属线长度受限以及容易发生偏移的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种垂直打线设备,所述垂直打线设备包括:劈刀,所述劈刀具有供金属线穿过的线孔;切割器,所述切割器对准所述劈刀下端口外侧的目标切割点,用于从所述目标切割点切割所述金属线以及对所述金属线的端部进行熔化以形成金属球;移动装置,提供所述劈刀及所述切割器的垂直移动,并使得所述切割器始终对准所述劈刀下端口外侧的目标切割点。
可选地,所述切割器包括激光切割器,所述激光切割器用于采用激光切割所述金属线以及采用激光对所述金属线的端部进行熔化以形成金属球。
可选地,所述切割器包括电子火焰发生器,所述电子火焰发生器用于采用电子火焰切割所述金属线以及采用电子火焰对所述金属线的端部进行熔化以形成金属球。
可选地,所述切割器与所述劈刀固定连接。
可选地,所述劈刀对所述金属线的垂直提拉的最大高度大于1600微米。
本发明还提供一种垂直打线方法,所述垂直打线方法包括步骤:1)提供垂直打线设备;2)采用所述切割器对所述金属线的端部进行熔化以形成金属球;3)将所述金属球焊接至目标焊点;4)提拉所述劈刀以及切割器至目标高度;5)采用所述切割器对所述金属线的目标切割点进行切割;6)将所述劈刀上方的线夹关闭,提拉所述线夹以将所述金属线拉断,以在所述目标焊点上形成垂直金属线。
可选地,步骤5)采用激光切割器对所述金属线进行激光切割,步骤2)采用激光切割器对所述金属线的端部进行激光加热,使所述金属线的端部熔化以形成金属球。
可选地,步骤5)采用电子火焰发生器对所述金属线进行电子火焰切割,步骤2)采用电子火焰发生器对所述金属线的端部进行电子火焰加热,使所述金属线的端部熔化以形成金属球。
可选地,还包括重复进行步骤2)~步骤6),以在多个目标焊点上分别形成多根垂直金属线。
可选地,所述垂直金属线的高度大于1600微米。
如上所述,本发明的垂直打线设备及打线方法,具有以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造