[发明专利]磁性隧道结的种子层形成方法

权利要求书

1.一种磁性隧道结的种子层形成方法，所述磁性隧道结设置于磁性随机存储单元，所述磁性隧道结的结构形成由下至上为缓冲层、种子层、反铁磁层、晶格隔断层、参考层、势垒层与自由层，其特征在于，所述种子层形成方法包括：

在不隔断真空的环境中，形成多数个种子亚层，以形成所述种子层于所述缓冲层上，其中，每一种子亚层是通过沉积以及后续的表面离子处理形成。

2.如权利要求1所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，在每一次种子亚层的沉积或表面离子处理过程中，可选择性的进行加热或不加热，加热的温度优选为150℃～400℃之间。

3.如权利要求2所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，在每一次种子亚层，先采用氖，氩，氪或氙的气体进行溅射沉积，气压为0.1mTorr至20.0mTorr，较优为1.0mTorr或2.0mTorr，再采用低能量的表面等离子刻蚀处理。

4.如权利要求2所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，沉积或表面离子处理之后，进行自然冷却到室温，或者进行超低温冷却，所述超低温冷却优选为100K或200K。

5.如权利要求1所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，所述种子层具备n个种子亚层，其中，2≤n≤20，每亚层的厚度a为：0.25nm≤a≤1.50nm。

6.如权利要求1所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，所述种子层的结构为铂或铂/钌。

7.如权利要求1所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，所述缓冲层由钽,钛，氮化钛，氮化钽，钨，氮化钨，碳，硅,镓，钴碳化合物，钴铁碳化合物，镍,铬,钴硼化合物，铁硼化合物，钴铁硼化合物或其组合构成。

8.如权利要求1所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，所述缓冲层由钴铁硼/钽或钽/钴铁硼的两层结构形成。

9.如权利要求1所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，所述反铁磁层的结构为[钴/铂]_n钴或[铂/钴]_n，钌及/或铱的两层结构，或是由[钴/铂]_n钴或[铂/钴]_n，钌及/或铱，钴[铂/钴]_m的依次向上叠加的三层结构，其中，n＞m≥0。

10.如权利要求9所述磁性隧道结的种子层形成方法，其特征在于，单层的钴，铂，钌和/或铱的厚度小于1奈米，优选的，钴和铂的单层厚度在0.5奈米之下。