[发明专利]一种低频PECVD沉积氧化铝的方法有效
| 申请号： | 201910959148.0 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110699674B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 赵增超 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/40;H01L31/18 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;何文红 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低频 pecvd 沉积 氧化铝 方法 | ||
1.一种低频PECVD沉积氧化铝的方法，其特征在于，以三甲基铝为原料，以O2、水蒸气、乙醇蒸气中的其中一种含氧物质为氧化剂，通过低频PECVD法制备得到氧化铝，包括以下步骤：将基底材料置于低频PECVD沉积装置的反应腔室中，通入三甲基铝和氧化剂，控制电源的频率为30KHz～300KHz以及反应腔室的温度为200℃～400℃、压强为20Pa～500Pa，在基底材料表面沉积氧化铝，完成对氧化铝的制备；所述氧化剂为O2时，所述三甲基铝和氧化剂的流量比为1∶2～1∶10，所述氧化剂的流量以反应腔室单位体积计为1000slm/m3～7000slm/m3；所述氧化剂为水蒸气和/或乙醇蒸气时，所述三甲基铝和氧化剂的流量比为1∶1～1∶10，所述氧化剂的流量以反应腔室单位体积计为500slm/m3～8000slm/m3；所述沉积过程中放电功率密度以基底材料单位面积计为25mW/cm2～200mW/cm2。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三甲基铝的流量以反应腔室单位体积计为400slm/m3～3500slm/m3；所述三甲基铝通过氩气携带进入低频PECVD沉积装置的反应腔室中，所述氩气的流量以反应腔室单位体积计为600slm/m3～3000slm/m3。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积时间为40s～500s。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低频PECVD沉积装置中反应腔室为平板式或管式。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化铝的厚度为4nm～30nm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底材料为硅片。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
