[发明专利]控制使能感测放大器操作的定时窗口的鲁棒的方法和电路

说明书

本公开的各实施例涉及控制使能感测放大器操作的定时窗口的鲁棒的方法和电路。响应于已经跨存储器的位线形成足够的电压差的指示，生成感测放大器使能信号和跟踪信号。感测放大器使能信号具有在前沿和后沿之间的脉冲宽度。感测放大器使能信号沿着第一U形转弯信号线传播以生成感测放大器使能返回信号，该第一U形转弯信号线平行于存储器阵列的行延伸，并且耦合到布置成行的感测放大器。跟踪信号沿着第二U形转弯信号线传播以生成跟踪返回信号，该第二U形转弯信号线平行于存储器阵列的列延伸。感测放大器使能返回信号和跟踪返回信号被逻辑组合以生成复位信号。脉冲宽度的后沿的定时由复位信号控制。

技术领域

本发明总体上涉及感测放大器控制电路，并且特别地，涉及一种控制定时窗口(脉冲宽度)以使能存储器和/或存储器编译器内的感测放大器操作的电路。

背景技术

存储器电路由以行和列布置的存储器单元的阵列以及选择性地耦合到该阵列的列的多个感测放大器形成。存储器的正确操作取决于使得感测放大器能够操作的定时窗口。当在每个所选择的列的位线上形成足够的电压差时，必须使能感测放大器以进行操作，以便读取存储在存储器单元中的数据。附加地，在对读取数据进行锁存之后，必须带有跨工艺、电压和温度(PVT)变化的安全余量地禁用感测放大器。实际上，必须控制的是感测放大器使能(SAEN)信号的脉冲宽度。一般而言，可以通过诸如位线跟踪的方案来管理用于触发SAEN信号开启(即，SAEN脉冲的前沿)的定时，位线跟踪的方案被调整为：当在感测放大器的差分输入节点上存在足够的电压差时使能感测放大器，以便确保正确的解析以及对读取数据的成功锁存。然而，用于触发SAEN信号关闭(即，SAEN脉冲的后沿)的定时更难于以对成功锁存读取数据与惩罚用于完成数据读取的周期时间进行平衡的方式来控制。在许多现有技术的存储器中，用于控制用于触发SAEN信号关闭的定时的电路被设计为解决最坏的情况，其代价是接受周期时间上的延迟。因此感测放大器的操作不是最优化的。附加地，在存储器编译器中，这变得更加复杂，因为它支持一定范围的行和列，在这些行和列中，需要根据最坏的切割大小来调整SAEN信号的关闭触发，这对于较小的切割会惩罚周期时间。

图1A示出了用于生成SAEN信号的现有技术电路10的电路图。电路10包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)18，其具有耦合到输入12的栅极端子和耦合到基准供电节点(例如，地)的源极端子。p沟道MOSFET 22的源极-漏极路径与晶体管18的源极-漏极路径串联连接。更具体地，晶体管22的漏极端子在节点26处连接到晶体管18的漏极端子。晶体管22的源极端子耦合到电源节点(Vdd)。晶体管22的栅极端子被耦合以接收复位信号RESET。锁存器电路30连接到节点26。锁存器电路30可以例如由一对交叉耦合的互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑反相器电路形成。第一CMOS反相器电路34的输入连接到节点26。第二CMOS反相器电路36的输入连接到第一反相器电路34的输出。在反相器电路36的输出处生成SAEN信号。反相器电路36的输出进一步连接到可调延迟电路40的输入，可调延迟电路40将可调延迟时间段td施加到所接收的SAEN信号。可调延迟电路40的输出生成复位信号RESET。根据SAEN脉冲宽度的最坏情况要求来调整可调延迟40。脉冲宽度基本上应当大于感测放大器的解析时间与感测放大器的输出稳定在全局输出线上并也锁存到输出锁存器中所花费的时间的相加。