[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一半导体基底；

一气隙区，配置在该半导体基底中；

一覆盖层，配置在该气隙区上；以及

一绝缘层，配置在该半导体基底中，且部分地环绕该覆盖层的周表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该气隙区具有一直径，该直径朝远离该覆盖层的方向递减。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该覆盖层的一部分接触该半导体基底。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体基底界定有一底部、一上部以及一中间部，该覆盖层配置在该上部上，该中间部夹置在该底部与该上部之间，以及该气隙区的一顶边界高于在上部与该中间部的接合面，而该顶边界是位在该覆盖层未接触该半导体基底处。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该上部具有一高度，介于10μm至15μm之间，且该中间部具有一高度，介于40μm至50μm之间。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘层是从该覆盖层的相对两侧连接该覆盖层。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘层从平面视图来看，具有一均匀厚度。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该覆盖层包括一周表面，且该周表面与该绝缘层相接合的一部分的一面积，大致地大于该周表面与该半导体基底相接合的一部分的一面积。

9.一种半导体结构的制备方法，包括：

提供一半导体基底；

在该半导体基底中形成一阶层开口；

在该阶层开口沉积一牺牲材料，其中该半导体基底的一部分穿经该牺牲材料而暴露；

在该牺牲材料与该半导体基底上沉积一覆盖层；

移除该牺牲材料；以及

沉积一绝缘层以部分地填满该阶层开口。

10.如权利要求9所述的制备方法，其中该阶层开口的形成还包括：

执行一第一蚀刻工艺，以在该半导体基底中形成一初始开口；以及

执行一第二蚀刻工艺，以移除该半导体基底的一部分，该部分连接一前表面并环绕该初始开口。

11.如权利要求10所述的制备方法，还包括在该半导体基底连接该前表面并环绕该初始开口的该部分的移除期间，移除该半导体基底位在该初始开口下方的一部分。

12.如权利要求10所述的制备方法，其中在该前表面与邻近该前表面的一内壁之间的一角度，介于85度到90度的范围。

13.如权利要求10所述的制备方法，其中该阶层开口包括一第一开口及一第二开口，该第一开口连接该半导体基底的该前表面，该第二开口连通该第一开口，而在该阶层开口该牺牲材料的沉积包括：

沉积一牺牲材料，以填满该第一开口与该第二开口；以及

执行一第三蚀刻工艺，以从该第一开口移除该牺牲材料的部分，进而穿经该牺牲材料而暴露该半导体基底。

14.如权利要求13所述的制备方法，其中该牺牲材料被移除的部分是从该覆盖层的相对两侧被移除。

15.如权利要求13所述的制备方法，其中该第一开口具有一均匀直径，且该第二开口具有一直径，该直径朝远离该第一开口的方向递减。

16.如权利要求10所述的制备方法，其中在该牺牲材料与该半导体基底上的该覆盖层的沉积，包括：

沉积该覆盖层，以覆盖该牺牲材料与该半导体基底；以及

执行一平坦化工艺，以移除该牺牲材料的部分以及在该前表面上的该覆盖层。

17.如权利要求9所述的制备方法，其中氢氟酸是被用来移除该牺牲材料。