[发明专利]使用感测放大器基于对存取线预充电进行存储器单元感测

说明书

本发明涉及使用感测放大器基于对存取线预充电而进行存储器单元感测。可以使用感测放大器对存取线预充电以增加感测操作的可靠性。所述存取线可接着与所述存储器单元和电容器共享电荷，所述电容器可以是参考电容器，这可以在所述存取线上产生高电平状态和低电平状态。通过利用所述感测放大器对所述存取线预充电并在所述存取线和电容器之间实施电荷共享，所述存取线上的所得高电平状态和低电平状态可以解决与所述感测放大器相关联的任何偏移电压。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求Vimercati于2018年10月10日提交的标题为“使用感测放大器基于对存取线预充电进行存储器单元感测(MEMORY CELL SENSING BASED ON PRECHARGINGAN ACCESS LINE USING A SENSE AMPLIFIER)”的第16/156,347号美国专利申请的优先权，该申请转让给本受让人并且明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

技术领域涉及使用感测放大器基于对存取线预充电进行存储器单元感测。

背景技术

下文大体上涉及操作存储器装置，且更具体来说，涉及使用感测放大器基于对存取线预充电进行存储器单元感测。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两种状态中的一个。在其它装置中，可存储超过两个状态。为了存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含采用磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等的那些存储器装置。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如PCM和FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可在很长一段时间内维持所存储的逻辑状态。例如DRAM的易失性存储器装置，除非其由电源周期性地刷新，否则可随时间推移失去所存储的逻辑状态。在一些情况下，非易失性存储器可使用类似装置架构作为易失性存储器，但可通过采用此类物理现象作为铁电电容或不同材料相位而具有非易失性特性。

一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本以及其它度量。以增加的精确度感测存储器单元的所存储状态可为合乎需要的。例如，增加的感测精确度可在读取操作期间提供增加的可靠性。

发明内容

描述一种方法。方法可包含将存取线预充电到第一电压，其中预充电可包含耦合存取线与感测放大器。方法可包含在预充电之后在存取线和存储器单元之间转移电荷，其中至少部分地基于在存取线和存储器单元之间转移电荷，存取线可转变到第二电压。方法可包含在预充电之后在存取线和电容器之间转移电荷，其中至少部分地基于在存取线和电容器之间转移电荷，存取线可转变到第三电压。方法可包含至少部分地基于使用感测放大器放大第三电压而确定存储器单元的状态。

描述一种设备。设备可包含：存储器单元，其配置成与存取线共享电荷；感测放大器，其具有配置成选择性地与存取线耦合的输出节点和输入节点；电容器，其配置成与存取线共享电荷；以及锁存器，其配置成基于感测放大器的输出节点处的电压而锁存存储器单元的状态。