[发明专利]薄膜器件的制备方法、电子传输层以及发光器件

说明书

本发明公开了薄膜器件的制备方法、电子传输层以及发光器件。其中，薄膜器件的制备方法，包括以下步骤：S1，于底材上制备氧化锌薄膜，氧化锌薄膜包括掺杂或不掺杂的氧化锌；S2，使氧化锌薄膜的表面浸于硫化物无机盐的溶液中，硫化物无机盐与氧化锌薄膜表面的材料反应，在氧化锌薄膜的表面形成硫化锌无机层。本发明使氧化锌薄膜的表面直接与硫化物无机盐溶液进行接触，利用硫化物无机盐与氧化锌薄膜的反应，在氧化锌薄膜的表面形成一层硫化锌无机层，该硫化锌无机层的存在可以改善氧化锌薄膜的表面态，有利于减少设置在薄膜器件表面的发光材料与氧化锌之间的相互作用，进而对提高器件的发光性能有利。

技术领域

本发明涉及发光器件技术领域，尤其涉及薄膜器件的制备方法、电子传输层以及发光器件。

背景技术

氧化锌是典型的n型氧化物半导体，具有较高的载流子迁移率，可调的能带结构，可见光波段透过率高等特性。胶体氧化锌纳米晶兼具出色的溶液可加工性，目前作为电子传输层以及应用于高性能的量子点发光二极管。然而，广泛应用的低温醇相胶体氧化锌纳米晶薄膜与量子点发光层接触时，大量表面态的存在使氧化锌和量子点中的激发态发射相互作用，显著地降低了量子点发光器件的发光性能。

目前，一些研究者采用液体注入原子层沉积的方式加入金属氧化物或金属硫化物，用来隔绝量子点与氧化锌之间的相互作用。但是，这种方法需要用到高精密的仪器设备，操作极为复杂。

还有一些研究者用带硫原子的有机配体来改善氧化锌的性质，同时利用近似ZnS层的表面来改善量子点与氧化锌的相互作用。但是，这种方法通常需要考虑配体与溶剂的选择，应用于器件时还需要考虑上下两层的溶剂正交性，应用时的限制较多。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷，本发明的一个目的在于提供一种薄膜器件的制备方法，用于改善氧化锌薄膜的表面。

本发明的另一个目的在于提供一种电子传输层。

在本发明的另一个目的在于提供一种发光器件。

为达到以上目的，本发明提供一种薄膜器件的制备方法，包括以下步骤：

S1，于底材上制备氧化锌薄膜，所述氧化锌薄膜包括掺杂或不掺杂的氧化锌；

S2，使所述氧化锌薄膜的表面浸于硫化物无机盐的溶液中，所述硫化物无机盐溶液与所述氧化锌薄膜表面的材料反应，在所述氧化锌薄膜的表面形成硫化锌无机层。

在其中一些实施例中，所述步骤S1中，所述氧化锌薄膜为一层或多层结构，所述氧化锌薄膜表面的材料为掺杂或不掺杂的氧化锌纳米晶，或者所述氧化锌薄膜表面的材料为掺杂或不掺杂的氧化锌体相材料。

在其中一些实施例中，所述氧化锌薄膜包括掺杂氧化锌，掺杂元素选自铟、铝、镓、钙、镉、钇中的一种或多种。

在其中一些实施例中，所述步骤S1中，所述氧化锌薄膜表面的材料为氧化锌体相材料，所述步骤S2中，所述硫化物无机盐的溶液为水溶液。

在其中一些实施例中，所述步骤S2中：在所述氧化锌薄膜的表面涂覆所述硫化物无机盐的溶液，以使得所述氧化锌薄膜的表面浸于所述硫化物无机盐的溶液中；或者，将所述步骤S1制得的器件浸泡于所述硫化物无机盐的溶液中，至少使得所述氧化锌薄膜的表面浸入所述硫化物无机盐的溶液中。

在其中一些实施例中，所述硫化物无机盐选自硫化铵、硫化钾、硫化钠、硫化锂、硫化铷中的一种或多种。

在其中一些实施例中，所述硫化物无机盐的溶液中，所述硫化物无机盐的浓度为0.1wt％～50wt％，所述氧化锌薄膜表面浸于所述硫化物无机盐溶液中的时间为0.01h～24h。

在其中一些实施例中，所述步骤S2之后，还包括步骤S3，清洗步骤S2制得的器件的表面，以去除残余的所述硫化物无机盐以及其他反应产物。