[发明专利]闪存的数据写入方法与其控制装置

说明书

本发明公开了一种闪存的数据写入方法与其控制装置，所述闪存包括有多个多层单元，其中每一个多层单元可用来储存多个位，所述方法包括有：分别对所述多个多层单元中的每一个多层单元储存一第一位；判断所述每一个多层单元是否都分别储存了所述第一位；以及当所述每一个多层单元都分别储存了所述第一位时，分别对所述每一个多层单元储存一第二位。本发明可大幅减少所述闪存内满载数据被抹去的次数，并增加所述闪存内未满载数据被抹去的次数，以提高所述闪存的写入速度和使用寿命。

本申请要求2015年03月31日提交的中国专利申请号201510148225.6的权利，所述专利文献进一步以中国台湾专利申请号103140545的申请日2014年11月21日作为优先权日，并且在此被完全引述作为参考。

技术领域

本发明涉及一闪存的数据写入方法与其控制装置，尤其涉及提高一闪存的使用寿命与操作速度的方法与其控制装置。

背景技术

一般而言，当一闪存控制电路将一数据写入一闪存内的一个记忆单元时，所述闪存控制电路会先将之前储存在所述记忆单元内的数据抹去，接着才将所述数据写入所述记忆单元内。然而此一作法将会拖慢所述闪存的数据写入速度，因为所述闪存控制电路必须要花时间来将之前储存在所述记忆单元内的数据抹去。再者，一般而言，一闪存的使用寿命是受限于所述闪存的写入与抹去次数。若所述闪存的写入与抹去次数越高，则所述闪存的使用寿命就越低。总言之，若所述闪存的写入与抹去次数越少，则所述闪存的使用寿命就越高。因此，如何同时提高所述闪存的数据写入速度以及使用寿命已成为此领域所亟需解决的问题。

发明内容

因此，本发明所公开的方法与其控制装置主要是提高一闪存的使用寿命与操作速度。

依据本发明的一第一实施例，其揭示了一种将数据写入一闪存的方法，其中所述闪存包括有多个多层单元，其中每一个多层单元可用来储存多个位，所述方法包括有：将一组数据分别储存于所述多个多层单元中的每一个多层单元的一第n位，其中n是大于0的正整数；判断所述每一个多层单元的所述第n位是否都分别储存数据；以及当所述每一个多层单元都分别储存了所述第n位时，分别对所述每一个多层单元的第n+1位进行储存；其中，将所述组数据分别储存于所述每一个多层单元的所述第n位的步骤包括针对所述每一个多层单元进行以下操作：判断要被写入所述多层单元的所述第n位的数据的数据极性，以决定是否对所述多层单元的注入电荷量；其中若所述数据极性为一第一极性，则不对所述多层单元的一浮栅注入一第一电荷量；以及若所述数据极性为一第二极性，则对所述多层单元的所述浮栅注入所述第一电荷量，所述第二极性不同于所述第一极性。

依据本发明的一第二实施例，其揭示了一种控制装置，其用来将数据写入一闪存，其中所述闪存包括有多个多层单元，每一个多层单元可用来储存多个位。所述控制装置包括写入电路以及一判断电路，所述写入电路用来将一组数据分别储存于所述多个多层单元中的每一个多层单元的一第n位，其中n是大于0的正整数；以及所述判断电路用来判断所述每一个多层单元的所述第n位是否都分别储存了；其中若当所述每一个多层单元都分别储存了所述第n位时，分别对所述每一个多层单元的第n+1位进行储存。其中，所述写入电路包括有：一判断单元，用来判断要被写入所述多层单元的所述第n位的数据的数据极性，以决定是否对所述多层单元的注入电荷量；以及一写入单元，其中若所述数据极性为一第一极性，则所述写入单元不对所述多层单元的一浮栅注入一第一电荷量；以及若所述数据极性为一第二极性，则所述写入单元对所述多层单元的所述浮栅注入所述第一电荷量，所述第二极性不同于所述第一极性。

依据以上的实施例，本发明可大幅减少所述闪存内满载数据被抹去的次数，并增加所述闪存内未满载数据被抹去的次数，以提高所述闪存的写入速度和使用寿命。

附图说明

图1是本发明一种控制装置的一实施例示意图。

图2是本发明一多层单元的一实施例示意图。

图3是本发明一种将数据写入一闪存的方法的一实施例流程图。