[发明专利]发光装置有效
| 申请号: | 201910955089.X | 申请日: | 2019-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN111123578B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
| 发明(设计)人: | 林小郎;蔡宗翰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357 |
| 代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
一种发光装置,包括一第一发光单元和一第二发光单元。第一发光单元发射一第一光谱,所述第一光谱在525纳米和585纳米之间具有一主波峰,且在400纳米和470纳米之间具有一第一子波峰。第二发光单元发射一第二光谱,所述第二光谱在595纳米和775纳米之间具有一主波峰,且在400纳米和470纳米之间具有一第二子波峰。所述第一子波峰的积分与所述第二子波峰的积分不同。
技术领域
本发明涉及一种发光装置,特别是涉及一种包括光转换元件的发光装置。
背景技术
在传统的发光装置中,常利用混合绿光和红光的方式来产生其他颜色的光(例如黄光)。然而,在传统发光装置,对于观察者而言,所述光线(例如黄光)的颜色的明视觉偏蓝。因此,本发明提供一种可减少上述问题的发光装置。
发明内容
在一些实施例中,一种发光装置包括发射一光谱的一发光单元,所述光谱在520纳米(nm)和780纳米之间具有一主波峰,且在400纳米和470纳米之间具有一子波峰。所述光谱的一第二子波峰积分大于所述光谱的一第一子波峰积分。
在一些实施例中,一种发光装置包括一第一发光单元和一第二发光单元。第一发光单元发射一第一光谱,第一光谱在525纳米和585纳米之间具有一主波峰,且在400纳米和470纳米之间具有一第一子波峰。第二发光单元发射一第二光谱,第二光谱在595纳米和775纳米之间具有一主波峰,且在400纳米和470纳米之间具有一第二子波峰。第一子波峰的积分与第二子波峰的积分不同。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图。
图2为第一实施例的第一发光单元或第二发光单元所发射的出射光的光谱的示意图。
图3为第一实施例的第一发光单元和第二发光单元所发射的出射光的光谱的示意图。
图4为CIE 1931的色度坐标图。
图5为图4所示的区域G的放大图和显示出第一发光单元所发射的不同出射光的点。
图6为图4所示的区域R的放大图和显示出第二发光单元所发射的不同出射光的点。
图7为第二实施例的发光装置的剖视示意图。
图8为第三实施例的发光装置的剖视示意图。
附图标记说明:10-发光装置;100-第一基板;102-第二基板;1041-间隙物;1042-光调变层;106-遮蔽结构;1081、1082-偏光片;110-光学膜;112、122-光源;114-导光板;116-光学层;118-隔离结构;120-平坦层;AP-开口;BF-阻挡结构;BL-背光模块;CE-色度图边界;CGL-电荷产生层;CL1、CL2-光线;DP-面板;EIL2、EIL1-电子注入层;EL1-第一电极;EL2-第二电极;ETL2、ETL1-电子传输层;G、R、Y、CS-区域;G0、G1、G2、G3、R0、R1、R2、R3、R4-点;HIL2、HIL1-电洞注入层;HTL2、HTL1-电洞传输层;I1、I2-强度;IL1、IL2-入射光;LA-光吸收材料;LCE1、LCE2、LCE3-光转换元件;LE-发光元件;LE1-第一发光元件;LE2-第二发光元件;LE3-第三发光元件;LEL2、LEL1-发光结构;LS-光谱;LS1-第一光谱;LS2-第二光谱;LU1-第一发光单元;LU2-第二发光单元;LU3-第三发光单元;MI-强度积分;MP1、MP2-主波峰;MW、MW1、MW2-主波;OL1-第一光线;OL2-第二光线;OL3-第三光线;PDL-像素定义层;PL-保护层;QD1-量子点;SI1、SI11、SI12-第一子波峰积分;SI2、SI21、SI22-第二子波峰积分;SI3-第三子波峰积分;SI4-第四子波峰积分;SI51、SI52-第五子波峰积分;SI61、SI62-第六子波峰积分;SP1-第一子波峰;SP2-第二子波峰;SU-基板;SW、SW1、SW2-子波;V-法线方向;Wm、W1、W2、W3、W4、W5、W11、W12-波长。
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