[发明专利]一种介质单表面微放电过程中空间电子涨落的解析方法

权利要求书

1.一种介质单表面微放电过程中空间电子涨落的解析方法，其特征在于方法步骤如下：

1)高能粒子入射到介质表面产生二次电子，根据二次电子发射速度v_e、发射极角θ_e和发射方位角的概率密度函数f_v(v_e)、f_θ(θ_e)和计算二次电子渡越时间的概率密度函数f_τ(τ)和二次电子发射转移率C_EE(t₁,t₂)，t₁和t₂分别表示二次电子发射转移的起始时刻和终止时刻；

2)接着根据二次电子渡越时间的概率密度函数f_τ(τ)和二次电子发射转移率C_EE(t₁,t₂)计算介质表面的二次电子的发射率E_m(t)和入射率I_m(t)，t表示时间，最终再处理得到介质单表面微放电过程中空间电子数目的涨落函数N(t)，从而获得空间电子涨落的解析结果；

所述步骤1)选择为以下三种计算方法的其中之一：

1.A)根据二次电子的发射速度v_e、发射极角θ_e和发射方位角三者随机性，采用以下公式计算获得二次电子的概率密度函数和发射转移率：

2.A)根据二次电子的发射速度v_e、发射极角θ_e两者随机性，采用以下公式计算获得二次电子的概率密度函数和发射转移率：

3.A)根据二次电子的发射速度v_e随机性，采用以下公式计算获得二次电子的概率密度函数和发射转移率：

f_τ(τ)＝(a_dc/2)f_v(a_dcτ/2)

C_EE(t_e,t_i)＝f_τ(t_i-t_e)σ(v_i,θ_i)

其中，f_τ(τ)表示二次电子渡越时间τ的概率密度函数，C_EE(t_e,t_i)表示二次电子的发射转移率；τ表示二次电子的渡越时间，t_e和t_i分别表示从介质表面出射的时刻和二次电子出射后再次入射到介质表面的时刻，t_i、v_i和θ_i分别表示二次电子入射到介质表面的入射时间、入射速度和入射极角；a_dc表示二次电子的加速度，f_v(v_e)表示二次电子发射速度v_e的概率密度函数，表示二次电子发射方位角的概率密度函数，σ(v_i,θ_i)表示二次电子以速度v_i入射极角θ_i入射到介质表面对应的二次电子发射系数，f_v(a_dcτ/2)表示当二次电子发射速度v_e＝a_dcτ/2时v_e的概率密度，f_τ(t_i-t_e)表示当渡越时间τ＝t_i-t_e时τ的概率密度；

所述步骤2)具体为：

2.1)根据二次电子渡越时间的概率密度函数f_τ(τ)和二次电子发射转移率C_EE(t₁,t₂)计算介质表面电子的出射率E_m(t)和入射率I_m(t)：

其中，C_EE(t′,t)表示从时刻t′到时刻t的二次电子发射转移率，t′和t分别表示二次电子发射转移的起始时刻和终止时刻，E_m(t′)表示时刻t′介质表面的二次电子发射速率，δ(t)表示介质表面外加的二次电子发射速率；

2.2)微放电过程中空间电子数目随时间的涨落函数N(t)的计算方法是：

其中，I_m(t′)表示时刻t′介质表面二次电子的吸收速率。