[发明专利]一种便于在线监控的凹陷结构及其制备方法有效
申请号: | 201910948614.5 | 申请日: | 2019-10-08 |
公开(公告)号: | CN110718533B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;马盼 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 便于 在线 监控 凹陷 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种便于在线监控的凹陷结构,其特征在于,包括介质层Ⅰ和位于介质层Ⅰ上方的介质层Ⅱ,所述介质层Ⅰ中包括金属通孔和金属接触层,所述金属接触层位于所述金属通孔的上方;所述介质层Ⅱ中包括位于金属接触层上方的锥形凹槽,所述锥形凹槽具有倾斜侧壁,且所述锥形凹槽远离金属接触层的水平截面面积大于所述锥形凹槽靠近金属接触层的水平截面面积;所述倾斜侧壁上覆盖反射薄膜;
当在线监控所述凹陷结构时,入射光入射至所述凹陷结构,监控系统收集凹陷结构的反射光线或者散射光线,形成成像图形;其中,所述倾斜侧壁上方的反射薄膜在成像图形中对应形成亮色反射外环,倾斜侧壁下方无法将入射光反射或者散射出凹陷结构的部分在成像图形中对应形成暗色中环,金属接触层在成像图形中对应形成亮色反射区域。
2.根据权利要求1所述的一种便于在线监控的凹陷结构,其特征在于,所述反射薄膜覆盖所述金属接触层的边缘,其中,覆盖在金属接触层边缘的反射薄膜与所述倾斜侧壁下方无法将入射光反射或者散射出凹陷结构的部分在成像图形中对应形成暗色中环。
3.根据权利要求2所述的一种便于在线监控的凹陷结构,其特征在于,所述介质层Ⅰ和介质层Ⅱ之间还包括隔离介质,所述反射薄膜和隔离介质依次覆盖所述金属接触层的边缘,其中,覆盖在金属接触层边缘的反射薄膜和隔离介质与所述倾斜侧壁下方无法将入射光反射或者散射出凹陷结构的部分在成像图形中对应形成暗色中环。
4.根据权利要求1所述的一种便于在线监控的凹陷结构,其特征在于,所述介质层Ⅱ对入射光的反射能力或散射能力小于反射薄膜对入射光的反射能力或散射能力,所述倾斜侧壁的外部的介质层Ⅱ在成像图像中对应形成暗色外环。
5.根据权利要求4所述的一种便于在线监控的凹陷结构,其特征在于,所述暗色外环的宽度大于0.2微米。
6.根据权利要求1所述的一种便于在线监控的凹陷结构,其特征在于,所述金属接触层和金属通孔之间通过连接薄膜隔离。
7.根据权利要求1所述的一种便于在线监控的凹陷结构,其特征在于,所述倾斜侧壁与介质层Ⅰ的夹角小于75°。
8.根据权利要求1所述的一种便于在线监控的凹陷结构,其特征在于,所述反射薄膜包括硅薄膜或者锗薄膜或者锗硅薄膜。
9.根据权利要求1所述的一种便于在线监控的凹陷结构,其特征在于,所述暗色中环的宽度大于0.2微米。
10.一种制备便于在线监控的凹陷结构的方法,其特征在于,包括如下步骤:
S01:在介质层Ⅰ中自下而上依次制备金属通孔和金属接触层结构;
S02:在介质层Ⅰ上表面沉积介质层Ⅱ;
S03:在介质层Ⅱ中刻蚀出位于金属接触层上方的锥形凹槽,所述锥形凹槽具有倾斜侧壁,且所述锥形凹槽远离金属接触层的水平截面面积大于所述锥形凹槽靠近金属接触层的水平截面面积;
S04:在所述锥形凹槽的侧壁和底面沉积反射薄膜;
S05:刻蚀所述锥形凹槽底面的反射薄膜,形成位于金属接触层上方的锥形凹槽,从而形成凹陷结构。
11.根据权利要求10所述的一种制备便于在线监控的凹陷结构的方法,其特征在于,所述步骤S02在介质层Ⅰ上表面依次沉积隔离介质和介质层Ⅱ;
所述步骤S03中在介质层Ⅱ中刻蚀出位于金属接触层上方的锥形凹槽,停止于隔离介质;
所述步骤S05中刻蚀所述锥形凹槽底面的反射薄膜和隔离介质,形成位于金属接触层上方的锥形凹槽。
12.根据权利要求11所述的一种制备便于在线监控的凹陷结构的方法,其特征在于,所述步骤S05中刻蚀所述锥形凹槽底面中心的反射薄膜和隔离介质,使得所述反射薄膜和隔离介质依次覆盖所述金属接触层的边缘。
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