[发明专利]一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法

说明书

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法，包括以下步骤：将熔融拉膜法或碾膜法获得的高度取向的高分子薄膜覆盖于硅衬底上作为介电层；将功能有机半导体材料涂敷在取向高分子薄膜表面；通过溶液退火法获得高度取向的有机半导体晶体阵列。本发明的方法，能够提高有机半导体器件响应。

技术领域

本发明属于半导体领域，尤其涉及一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法。

背景技术

有机半导体晶体材料有设计性强、器件性能突出等特点，在柔性电子学、可穿戴设备研制等诸多领域有广泛的应用前景，其中有机半导体单晶材料由于超高的电学性能逐渐获得越来越多的关注。但是到目前为止，有机半导体单晶以实验室研究为主，工业化发展缓慢，这是由于形貌良好的有机半导体单晶材料主要通过溶液法生长，随后转移到固体基底上进行器件制备，这就势必造成晶体排布杂乱，与基底接触差等问题，另一方面有机半导体材料因溶剂会破坏分子排布而对目前工业生产中使用的光刻等技术不兼容，进一步影响有机半导体产业化应用。针对这些问题本发明专利提出了一种外沿法制备取向有机晶体阵列及器件阵列的方法，提高有机半导体器件响应，为有机半导体集成器件和工业化生产提供基础，具有巨大的发展潜力和广阔的市场应用前景。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的目的是提供一种电学性能高的取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法。

用于解决技术问题的方法

针对上述问题，本发明提出了一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法。

根据本发明的一个实施方案，提供一种外沿法制备取向有机半导体晶体阵列的方法，其包括以下步骤：

将熔融拉膜法或碾膜法获得的高度取向的高分子薄膜覆盖于硅衬底上作为介电层；

将功能有机半导体材料旋涂在取向高分子薄膜表面；

通过溶液退火法获得高度取向的有机半导体晶体阵列。

一种实施方式为，其中，取向的高分子薄膜的组成材料包括但不限于PE，PP，PVDF，PTFE。

一种实施方式为，其中，所述有机半导体材料包括但不限于寡聚噻吩衍生物、苯并[b]苯并[4,5]噻吩并[2,3-d]噻吩衍生物、联苯衍生物。

根据本发明的第二方面，提供一种外沿法制备取向有机半导体器件阵列的方法，其使用上述的有机半导体晶体阵列，通过铜网掩模法制备电极。

根据本发明的第三方面，提供一种外沿法制备取向有机半导体晶体阵列，其包括：衬底，衬底上设置高度取向的高分子薄膜；高分子薄膜表面上具有经过退火处理的功能有机半导体材料层。

一种实施方式为，其中，取向的高分子薄膜的组成材料包括但不限于PE，PP，PVDF，PTFE。

一种实施方式为，其中，所述有机半导体材料包括但不限于寡聚噻吩衍生物、苯并[b]苯并[4,5]噻吩并[2,3-d]噻吩衍生物、联苯衍生物。

一种实施方式为，其中，取向的高分子薄膜采用熔融拉膜法或碾膜法制备。

本发明的有益效果

本发明专利的外沿法制备取向有机晶体阵列及器件阵列的方法，能够提高有机半导体器件响应，为有机半导体集成器件和工业化生产提供基础，具有巨大的发展潜力和广阔的市场应用前景。

从以下示例性实施方案的描述中，本发明的进一步特征将变得显而易见。

附图说明

图1是本发明专利器件阵列的结构示意图；图中标号1.金电极，2.有机半导体晶体阵列，3.高度取向高分子薄膜，4.衬底。