[发明专利]一种市电过零检测电路及应用该电路的开关电源系统

权利要求书

1.一种市电过零检测电路，其特征在于：包括按序连接的二极管（101）、过零电压钳位电路（102）以及过零比较电路（103）；

所述二极管（101）的正极作为整个市电过零检测电路的输入端与AC输入电性连接，所述二极管（101）的负极与所述过零电压钳位电路（102）的正端电性连接，所述过零电压钳位电路（102）的负端与所述过零比较电路（103）的输入端电性连接，所述过零比较电路（103）的输出端与所述开关电源系统内的控制器件电性连接或直接作为过零输出、输出过零信号。

2.根据权利要求1所述的市电过零检测电路，其特征在于：整个市电过零检测电路应用于反激式拓扑结构的开关电源系统中，所述开关电源系统为隔离式开关电源系统或非隔离式开关电源系统。

3.根据权利要求1所述的市电过零检测电路，其特征在于：所述过零电压钳位电路（102）为单个结型场效应管；

所述结型场效应管的漏极作为所述过零电压钳位电路（102）的正端，所述结型场效应管的源极作为所述过零电压钳位电路（102）的负端，所述结型场效应管的栅极接地。

4.根据权利要求1所述的市电过零检测电路，其特征在于：所述过零电压钳位电路（102）由一个结型场效应管以及一个NMOS管组成；

所述结型场效应管的漏极作为所述过零电压钳位电路（102）的正端，所述结型场效应管的源极与所述NMOS管的漏极电性连接，所述结型场效应管的栅极接地，所述NMOS管的源极作为所述过零电压钳位电路（102）的负端，所述NMOS管的栅极与所述控制器件电性连接。

5.根据权利要求1所述的市电过零检测电路，其特征在于：所述过零比较电路（103）为单个电压比较器；

所述电压比较器的负端作为所述过零比较电路（103）的输入端，所述电压比较器的正端与所述控制器件的内部基准电性连接，所述电压比较器的输出端作为所述过零比较电路（103）的输出端。

6.根据权利要求1所述的市电过零检测电路，其特征在于：所述过零比较电路（103）由一个分压电阻串和一个电压比较器组成；

所述分压电阻的一端作为所述过零比较电路（103）的输入端，所述分压电阻的另一端接地，所述分压电阻的分压点与所述电压比较器的负端电性连接，所述电压比较器的正端与所述控制器件的内部基准电性连接，所述电压比较器的输出端作为所述过零比较电路（103）的输出端。

7.根据权利要求1所述的市电过零检测电路，其特征在于：所述过零比较电路（103）由一个电阻、一个二极管以及一个电流比较器组成；

所述电阻的一端作为所述过零比较电路（103）的输入端，所述电阻的另一端于所述二极管的正极电性连接，所述二极管的负极与所述电流比较器的负极电性连接，所述电流比较器的正端与所述控制器件的内部基准电性连接，所述电流比较器的输出端作为所述过零比较电路（103）的输出端。

8.一种开关电源系统，包含有如权利要求1~7任一所述的市电过零检测电路，其特征在于：还包括整流器件（2）、输入电容Cf（3）、钳位电路（4）、能量传输器件T1（5）、整流二极管D1（6）、输出电容Co（6）、采样电路（7）、负载（8）、功率开关器件S1（9）以及控制器件，所述控制器件为控制芯片（10）；

所述整流器件（2）与所述能量传输器件T1（5）电性连接，所述能量传输器件T1（5）为一个双绕组，包含有一原边绕组（501）以及一次边绕组（502），所述原边绕组（501）分别与所述输入电容Cf（3）、所述钳位电路（4）以及所述功率开关器件S1（9）三者电性连接，所述次边绕组与所述整流二极管D1（6）的正极电性连接，所述整流二极管D1（6）的负极分别与所述输出电容Co（6）以及所述负载（8）二者电性连接；

所述整流器件（2）还与所述市电过零检测电路的输入端电性连接，所述市电过零检测电路的输出端与所述控制芯片（10）电性连接。