[发明专利]一种显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层；所述显示面板包括平面区和自所述平面区向外延伸的弯折区；所述空穴传输层与所述电子传输层中的至少一个位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于位于所述平面区部分的载流子迁移率；

封装层，所述封装层设置于所述电子传输层远离所述空穴传输层的一侧；

在所述弯折区，所述封装层远离所述电子传输层的表面的非发光区设置有漫反射结构；所述发光层包括多个子发光层，所述非发光区为相邻所述子发光层之间的区域。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述空穴传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的十倍以上；

所述空穴传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的一百倍以下。

3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述电子传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的十倍以上；

所述电子传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的一百倍以下。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述空穴传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于10^-2cm²/V·s，所述空穴传输层位于所述平面区部分的载流子迁移率介于10^-4cm²/V·s至10^-3cm²/V·s之间；

所述电子传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于10^-5cm²/V·s，所述电子传输层位于所述平面区部分的载流子迁移率介于10^-7cm²/V·s至10^-6cm²/V·s之间。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

电子阻挡层和空穴阻挡层，所述电子阻挡层设置于所述空穴传输层和所述发光层之间，所述空穴阻挡层设置于所述电子传输层和所述发光层之间；

所述电子阻挡层与所述空穴阻挡层中的至少一个位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于位于所述平面区部分的载流子迁移率。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于：

所述空穴传输层与所述电子阻挡层之间的HUMO能级差以及所述电子阻挡层与所述发光层之间的HUMO能级差均小于或等于0.5eV；

所述电子传输层与所述空穴阻挡层的LUMO能级差以及所述空穴阻挡层与所述发光层之间的LUMO能级差均小于或等于0.3eV。

7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述空穴传输层位于所述弯折区部分采用的空穴传输材料包括三芳胺类，咔唑和咪唑类衍生物中的至少一种；

所述电子传输层位于所述弯折区部分采用的电子传输材料包括三嗪类，蒽类和螺二芴类衍生物中的至少一种；

所述空穴传输层位于所述平面区部分采用的空穴传输材料包括吡啶基团，三嗪基团，吡嗪基团和蒽环基团中的至少一种；

所述电子传输层位于所述平面区部分采用的电子传输材料包括三芳胺类，咔唑和咪唑类衍生物中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

电子注入层和空穴注入层；

所述电子注入层设置于所述电子传输层远离所述发光层的一侧，所述空穴注入层设置于所述空穴传输层远离所述发光层的一侧；

所述电子注入层位于所述弯折区部分采用的材料包括电子注入材料和掺杂电子传输材料，所述掺杂电子传输材料为所述电子传输层位于所述弯折区部分包括的电子传输材料；

所述空穴注入层位于所述弯折区部分采用的材料包括空穴注入材料和掺杂空穴传输材料，所述掺杂空穴传输材料为所述空穴传输层位于所述弯折区部分包括的空穴传输材料。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的显示面板。