[发明专利]一种三维存储器漏电分析方法

说明书

本发明实施例公开了一种三维存储器漏电分析方法，包括：在第一三维存储器的导电接触孔表面形成导电粒子；在所述导电接触孔上加载电压；其中，所述电压的电性与所述导电粒子的电性一致；对加载所述电压后所述导电接触孔表面进行电子束检测，获取检测结果；基于所述检测结果中所述导电接触孔表面呈现的图像对所述第一三维存储器进行漏电分析。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器漏电分析方法。

背景技术

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维存储器件越来越难以满足要求，在这种情况下，三维(3D)存储器应运而生。

在三维存储器的研发和生产过程中，漏电检测分析是改善工艺条件、提高产品良率不可或缺的重要手段。对于三维存储器漏电性能的检测，传统方法是采用纳米探针(NanoProbe)的方式，此方法的缺点是输出效率低，进而影响探测点的样本数量，不能直观、定量监测整片晶圆的漏电性能；不仅如此，经过纳米探针方式检测的晶圆需要报废，造成一定的产品浪费。

因此，本领域现阶段亟需一种高速、高效、直观的实现三维存储器的漏电检测分析方法。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种三维存储器漏电分析方法。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种三维存储器漏电分析方法，包括：

在第一三维存储器的导电接触孔表面形成导电粒子；

在所述导电接触孔上加载电压；其中，所述电压的电性与所述导电粒子的电性一致；

对加载所述电压后所述导电接触孔表面进行电子束检测，获取检测结果；基于所述检测结果中所述导电接触孔表面呈现的图像对所述第一三维存储器进行漏电分析。

上述方案中，所述导电粒子为电子，所述加载电压为加载负电压。

上述方案中，所述形成导电粒子，具体包括：在所述导电接触孔表面喷洒所述导电粒子。

上述方案中，所述基于所述检测结果中所述导电接触孔表面呈现的图像对所述第一三维存储器进行漏电分析，包括：

所述检测结果中所述导电接触孔表面呈现暗色，对应于所述导电接触孔漏电；

所述检测结果中所述导电接触孔表面呈现亮色，对应于所述导电接触孔不漏电。

上述方案中，所述方法还包括：

当检测到所述第一三维存储器包括至少一个漏电的导电接触孔时，采用透射电子显微镜对所述漏电的导电接触孔进行检测，以确定所述第一三维存储器的漏电位置。

上述方案中，所述方法还包括：

基于获取的所述电子束检测的检测结果以及所述采用透射电子显微镜进行检测的检测结果，确定至少一个漏电的导电接触孔在所述电子束检测的检测结果中呈现的相对位置与采用透射电子显微镜确定的所述第一三维存储器的漏电位置之间的对应关系；

获取第二三维存储器的导电接触孔表面的电子束检测的检测结果，基于确定的所述对应关系，确定所述第二三维存储器的漏电位置。