[发明专利]超宽带高增益低噪声放大器在审
| 申请号: | 201910942106.6 | 申请日: | 2019-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN110729974A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
| 发明(设计)人: | 李振荣;王思敏;刘博宇;程夏禹;庄奕琪 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H03F1/48 | 分类号: | H03F1/48;H03F1/56;H03F3/193 |
| 代理公司: | 61205 陕西电子工业专利中心 | 代理人: | 王品华;黎汉华 |
| 地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 补偿电感 晶体管 负载电阻 输出匹配级 输入匹配级 电路 增益放大 源极负反馈电感 低噪声放大器 共源共栅结构 输入输出匹配 无线通信系统 共栅极结构 隔直电容 前端接收 三级级联 超宽带 高增益 共源极 电容 机芯 可用 平坦 | ||
1.一种超宽带高增益低噪声放大器,包括输入匹配级电路、增益放大级电路和输出匹配级电路三级级联结构,其特征在于:
所述输入匹配级电路,包括第一晶体管M1、第一电容C1、第一负载电阻RL1、第一补偿电感L1、第二补偿电感L2以及源极负反馈电感LS;第一晶体管M1,其栅极连接第一直流偏置电压Vbs1,其源极通过第一隔直电容C1连接输入信号,源极与地之间连接源极负反馈电感LS,其漏极分别连接第二补偿电感L2的一端和第一负载电阻RL1的一端,第一负载电阻RL1的另一端连接第一补偿电感L1的一端,第一补偿电感L1的另一端连接电源电压VDD,构成共栅极结构;
所述增益放大级电路,包括第二晶体管M2、第三晶体管M3、第二负载电阻RL2、第三补偿电感L3以及第四补偿电感L4;第二晶体管M2,其栅极连接第二补偿电感L2的另一端,其源极连接地,其漏极连接第三晶体管M3的源极;第三晶体管M3,其栅极连接第二直流偏置电压Vbs2,其漏极分别连接第四补偿电感L4的一端和第二负载电阻RL2的一端,第二负载电阻RL2的另一端连接第三补偿电感L3的一端,第三补偿电感L3的另一端连接电源电压VDD,构成共源共栅结构;
所述输出匹配级电路,包括第四晶体管M4、第三负载电阻RL3、第五补偿电感L5以及第二隔直电容C2;第四晶体管M4,其栅极连接第四补偿电感L4的另一端,其源极连接地,其漏极分别连接第三负载电阻RL3的一端和第二隔直电容C2的一端,第二隔直电容C2的另一端连接信号输出端,第三负载电阻RL3的另一端连接第五补偿电感L5的一端,第五补偿电感L5的另一端连接电源电压VDD,构成共源极结构。
2.根据权利要求1所述的放大器,其特征在于:第一隔直电容C1和第二隔直电容C2均为隔直电容,其大小在10pF附近调节确定,其作用在于隔绝输入节点、输出节点处直流对电路的影响。
3.根据权利要求1所述的放大器,其特征在于:第一补偿电感L1大小在600~900pn范围内调节确定,第二补偿电感L2大小在1.4~1.9n范围内调节确定,用于抵消第一晶体管M1漏极输出节点处寄生电容对电路增益的影响,提高输入匹配级电路高频增益。
4.根据权利要求1所述的放大器,其特征在于:第三补偿电感L3大小在600~900pn范围内调节确定,第四补偿电感L4大小在1.4~1.9n范围内调节确定,用于抵消第三晶体管M3漏极输出节点处寄生电容对电路增益的影响,提高增益放大级电路高频增益。
5.根据权利要求1所述的放大器,其特征在于:第五补偿电感L5大小在600~900pn范围内调节确定,用于抵消第四晶体管M4漏极输出节点处寄生电容对输出阻抗的影响,保证输出匹配级电路在较宽频带内保持良好的输出匹配性能,同时提高输出匹配级电路高频增益。
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