[发明专利]一种基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种基板，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上的绝缘层、纹路识别单元、存储电容和薄膜晶体管；

所述绝缘层具有凹槽；所述纹路识别单元中的至少一部分位于所述凹槽中，且该部分贯穿所述绝缘层；

所述存储电容包括间隔设置的第一电极和第二电极；

所述纹路识别单元包括下电极；所述下电极复用作所述第一电极；

所述薄膜晶体管包括所述绝缘层；所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述绝缘层为层间绝缘层；所述顶栅型薄膜晶体管还包括设置于所述衬底与所述层间绝缘层之间的第一栅极图案；

所述下电极与所述第一栅极图案通过同一导电薄膜得到；

其中，沿所述衬底指向所述绝缘层的方向，所述顶栅型薄膜晶体管还包括设置于所述衬底与所述第一栅极图案之间的有源图案；所述有源图案包括沟道区、位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述顶栅型薄膜晶体管的源极图案与所述源极区电连接，所述顶栅型薄膜晶体管的漏极图案与所述漏极区电连接；所述有源图案与所述第二电极通过同一半导体薄膜得到，所述第二电极、所述源极区、所述漏极区通过对所述半导体薄膜进行导体化得到；或者，

沿所述衬底指向所述绝缘层的方向，所述顶栅型薄膜晶体管还包括依次设置于所述衬底与所述第一栅极图案之间的第二栅极图案和第一栅绝缘层；所述第二栅极图案与所述第二电极通过同一导电薄膜得到。

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板还包括设置于所述纹路识别单元背离所述衬底一侧的平坦层；

其中，所述平坦层的厚度范围为1.2～1.8μm。

3.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1或2所述的基板。

4.一种基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成绝缘层和纹路识别单元；所述绝缘层具有凹槽；所述纹路识别单元中的至少一部分位于所述凹槽中，且该部分贯穿所述绝缘层；

所述基板包括存储电容；所述存储电容包括间隔设置的第一电极和第二电极；

所述纹路识别单元包括下电极，所述下电极复用作所述第一电极；

所述基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括所述绝缘层；所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述绝缘层为层间绝缘层；

在形成所述层间绝缘层之前，所述基板的制备方法包括：

采用同一次工艺在所述衬底上形成所述下电极和所述薄膜晶体管的第一栅极图案；

在形成所述第一栅极图案之前，所述基板的制备方法还包括：

在所述衬底上形成半导体薄膜，并在所述半导体薄膜背离所述衬底一侧形成光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶图案；

对所述半导体薄膜进行刻蚀，形成第一图案和第二图案；

对所述第一图案和第二图案进行导体化处理，所述第一图案经导体化处理形成有源图案，所述第二图案经导体化处理形成第二电极；

其中，所述有源图案包括沟道区、位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述顶栅型薄膜晶体管的源极图案与所述源极区电连接，所述顶栅型薄膜晶体管的漏极图案与所述漏极区电连接；

在形成所述第一栅极图案之前，所述基板的制备方法还包括：

采用同一次工艺在所述衬底上形成第二栅极图案和第二电极；

在所述第二栅极图案和所述第二电极背离所述衬底一侧形成第一栅绝缘层。

5.根据权利要求4所述的基板的制备方法，其特征在于，在形成所述薄膜晶体管和所述纹路识别单元后，所述基板的制备方法还包括：

形成平坦层；所述平坦层的厚度范围为1.2～1.8μm。