[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910937461.4 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110676324A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;岛行德;羽持贵士;中泽安孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李啸;杨美灵 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体装置 漏电极 源电极 栅电极 氧化物半导体膜 氧化物半导体 顶栅结构 驱动电路 通态电流 杂质元素 不重叠 导电膜 像素部 | ||
1.一种半导体装置，具有：
具有沟道形成区域的氧化物半导体膜；
在所述氧化物半导体膜的下方隔着第一绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第一导电膜；
在所述氧化物半导体膜的上方隔着第二绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第二导电膜；以及
与所述氧化物半导体膜电连接并且由与所述第二导电膜同一层构成的源电极及漏电极，
在与所述氧化物半导体膜的沟道长度方向平行的截面视图中，所述第一导电膜的宽度比所述第二导电膜的宽度大。
2.一种半导体装置，具有：
具有沟道形成区域的氧化物半导体膜；
在所述氧化物半导体膜的下方隔着第一绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第一导电膜；
在所述氧化物半导体膜的上方隔着第二绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第二导电膜；以及
与所述氧化物半导体膜电连接并且由与所述第二导电膜同一层构成的源电极及漏电极，
所述第二导电膜的上表面、所述源电极的上表面及所述漏电极的上表面具有与第三绝缘膜接触的区域，
在与所述氧化物半导体膜的沟道长度方向平行的截面视图中，所述第二绝缘膜的上表面具有：与所述第二导电膜接触的区域、以及与所述第三绝缘膜接触且与所述氧化物半导体膜重叠的区域，
在所述截面视图中，所述氧化物半导体膜具有：与所述第二绝缘膜接触的区域、以及与所述第三绝缘膜接触且邻接于与所述第二绝缘膜接触的区域的区域，
在所述截面视图中，所述第一导电膜的宽度比所述第二导电膜的宽度宽。
3.一种半导体装置，具有：
具有沟道形成区域的氧化物半导体膜；
在所述氧化物半导体膜的下方隔着第一绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第一导电膜；
在所述氧化物半导体膜的上方隔着第二绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第二导电膜；以及
与所述氧化物半导体膜电连接并且由与所述第二导电膜相同的叠层结构构成的源电极及漏电极，
在与所述氧化物半导体膜的沟道长度方向平行的截面视图中，所述第一导电膜的宽度比所述第二导电膜的宽度大。
4.一种半导体装置，具有：
具有沟道形成区域的氧化物半导体膜；
在所述氧化物半导体膜的下方隔着第一绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第一导电膜；
在所述氧化物半导体膜的上方隔着第二绝缘膜配置并且具有与所述沟道形成区域重叠的区域的第二导电膜；以及
与所述氧化物半导体膜电连接并且由与所述第二导电膜相同的叠层结构构成的源电极及漏电极，
所述第二导电膜的上表面、所述源电极的上表面及所述漏电极的上表面具有与第三绝缘膜接触的区域，
在与所述氧化物半导体膜的沟道长度方向平行的截面视图中，所述第二绝缘膜的上表面具有：与所述第二导电膜接触的区域、以及与所述第三绝缘膜接触且与所述氧化物半导体膜重叠的区域，
在所述截面视图中，所述氧化物半导体膜具有：与所述第二绝缘膜接触的区域、以及与所述第三绝缘膜接触且邻接于与所述第二绝缘膜接触的区域的区域，
在所述截面视图中，所述第一导电膜的宽度比所述第二导电膜的宽度宽。
5.如权利要求3或4所述的半导体装置，其中，所述第二导电膜的叠层结构、所述源电极及所述漏电极的叠层结构是由同一材料构成的。
6.如权利要求3或4所述的半导体装置，其中，所述第二导电膜的叠层结构、所述源电极及所述漏电极的叠层结构具有实质上相同的厚度。
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