[发明专利]显示装置有效
| 申请号: | 201910937351.8 | 申请日: | 2019-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN111092101B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
| 发明(设计)人: | 陈嘉源;蔡宗翰;李冠锋;吴湲琳 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
| 地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
一基板;
一第一发光单元,设置于该基板上;
一第二发光单元,设置于该基板上,且邻近该第一发光单元;
一第一缓冲层,设置于该第一发光单元上;
一第二缓冲层,设置于该第二发光单元上;
一第一光转换单元,设置于该第一缓冲层上;以及
一第二光转换单元,设置于该第二缓冲层上;
其中该第一缓冲层及该第二缓冲层的至少其中之一者具有一弧形的底面,
该第一光转换单元与该第一缓冲层的一厚度比例大于或等于0.2,且小于或等于100。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一缓冲层连接至该第二缓冲层。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一缓冲层的一第一曲率与该第二缓冲层的一第二曲率不同。
4.如权利要求1所述的显示装置,更包括一侧壁缓冲层,该侧壁缓冲层连接该第一缓冲层及该第二缓冲层,其中该第一缓冲层的粗糙度大于该侧壁缓冲层的粗糙度。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,该第一缓冲层的厚度大于或等于该侧壁缓冲层的厚度。
6.如权利要求1所述的显示装置,更包括一遮光层,设置于该第一光转换单元与该第二光转换单元之间。
7.如权利要求6所述的显示装置,更包括一成长基板,设置于该第一发光单元上,其中该成长基板具有多个开口,且该遮光层设置于该多个开口的侧壁上。
8.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一缓冲层更包括多个第一子层以及多个第二子层,该多个第一子层及该多个第二子层交互堆叠,且该多个第一子层的一折射率是大于该多个第二子层的一折射率。
9.如权利要求1所述的显示装置,更包括一中性层,设置于该第一缓冲层与该第一发光单元之间。
10.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一光转换单元的第一宽度与该第二光转换单元的第二宽度不同。
11.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一缓冲层的第一厚度与该第二缓冲层的第二厚度不同。
12.如权利要求1所述的显示装置,更包括一电接点,设置于该基板上,其中该第一缓冲层是电性连接至该电接点。
13.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一缓冲层的顶面朝向该第一光转换单元凸起。
14.如权利要求1所述的显示装置,更包括一滤光层,设置于该第一光转换单元上。
15.如权利要求14所述的显示装置,其特征在于,该滤光层曝露出该第二光转换单元。
16.如权利要求15所述的显示装置,其特征在于,该第一光转换单元及该第二光转换单元将光转换为不同的波长范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





