[发明专利]半导体结构

说明书

本发明提供了一种半导体结构。半导体结构中具有位于相邻接触垫之间的凹槽，并且填充在凹槽中的绝缘填充层是由至少两个绝缘部构成的，从而能够更为有效的缓解凹槽中的绝缘材料的内应力，有利于改善由于凹槽中的绝缘材料的高强度内应力而对其邻近的半导体器件造成损伤的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构。

背景技术

对于半导体工艺而言，内应力对半导体器件的可靠性有着重大的影响。尤其是，随着半导体技术的不断发展，半导体器件的尺寸不断缩减，半导体结构中的内应力对半导体器件的影响也越来越明显。通常而言，填充在凹槽中的材料在高温制程中所产生的内应力更大，其更容易对邻近的半导体器件造成影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构，以解决现有的半导体结构中由于高强度内应力而容易对半导体器件造成损伤的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体结构，包括：

衬底，所述衬底中形成有至少一半导体器件和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体器件；

至少两个互连结构，所述互连结构包括接触插塞和接触垫，所述接触插塞贯穿所述层间介质层并延伸至所述半导体器件，所述接触垫覆盖所述接触插塞的顶部并延伸覆盖部分所述层间介质层的顶表面；以及，

位于相邻接触垫之间的凹槽，所述凹槽还向下延伸停止于所述层间介质层中；以及，

绝缘填充层，填充在所述凹槽中，并且所述绝缘填充层包括至少两个绝缘部。

可选的，所述绝缘填充层至少包括两个第一绝缘部，所述两个第一绝缘部覆盖所述凹槽相对的两个侧壁，并且所述两个第一绝缘部界定出一凹陷在所述凹槽的中间区域；以及，所述半导体结构还包括遮盖层，所述遮盖层覆盖所述接触垫和所述绝缘填充层，并填充所述凹陷。

可选的，所述凹陷的底部延伸至所述凹槽的底部，所述遮盖层填充所述凹陷并延伸至所述凹槽的底部，并且所述遮盖层对应于所述凹陷的部分中还形成有空。

可选的，所述半导体器件包括形成在衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖所述栅极导电层顶表面的遮蔽层以及覆盖所述栅极导电层侧壁和所述遮蔽层侧壁的侧墙结构；其中，所述凹槽在高度方向上从相邻的接触垫之间向下延伸至所述遮蔽层中，所述凹槽在宽度方向上从所述遮蔽层横向扩展至所述侧墙结构中，并且所述凹槽的深度值不大于所述栅极导电层的高度值，所述凹槽的宽度尺寸大于所述栅极导电层的宽度尺寸。

可选的，所述绝缘填充层还包括第二绝缘部，所述第二绝缘部覆盖所述凹槽的底部，并且所述第二绝缘部和所述第一绝缘部之间形成有空隙，所述空隙由凹槽的底壁和侧壁相互连接的拐角处往所述凹陷的方向延伸。

可选的，所述凹陷的底部延伸至所述第二绝缘部，并使所述空隙与所述凹陷连通，以及所述遮盖层填充所述凹陷并封闭所述第一空隙的开口。

可选的，所述半导体器件包括形成在衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖所述栅极导电层顶表面的遮蔽层以及覆盖所述栅极导电层侧壁和所述遮蔽层侧壁的侧墙结构；其中，所述凹槽在高度方向上从相邻的接触垫之间向下延伸至所述遮蔽层中，所述凹槽在宽度方向上从所述遮蔽层横向扩展至所述侧墙结构中，并且所述凹槽的深度值不大于所述栅极导电层的高度值。

可选的，所述半导体器件包括形成在衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖所述栅极导电层顶表面的遮蔽层以及覆盖所述栅极导电层侧壁和所述遮蔽层侧壁的侧墙结构；

其中，所述凹槽在高度方向上从相邻的接触垫之间向下延伸至所述遮蔽层中，所述凹槽在宽度方向上从所述遮蔽层横向扩展至所述侧墙结构中，并且所述凹槽的深度值大于所述栅极导电层的高度值。