[发明专利]一种显示面板、显示装置及其显示方法有效
申请号: | 201910936352.0 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN110600525B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 李砚秋;喻娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 李欣 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 及其 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底基板,依次位于所述衬底基板上且相互绝缘设置的有机电致发光器件层,检测传感器,颜色可切换结构;
所述有机电致发光器件层包括多个子像素,所述颜色可切换结构包括与所述子像素一一对应设置的子单元;
各所述子单元用于在所施加不同信号的控制下透过各所述子像素发出的光,或者,显示与所施加信号对应颜色的光;
所述检测传感器被配置为检测各所述子像素或各所述子单元的显示参数;
所述颜色可切换结构包括:依次位于所述检测传感器背离所述衬底基板一侧的第一电极层、第一取向层、胆甾相液晶层、第二取向层和第二电极层;
其中,所述第二电极层包括呈阵列排布的多个电极,各所述电极分别与各所述子单元对应设置;
所述胆甾相液晶层掺杂有单电氧化剂和影响液晶分子螺旋形状的第一化合物,且用于显示不同颜色的所述子单元对应的所述胆甾相液晶层中掺杂的所述第一化合物的浓度不完全相同。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,用于显示红色的所述子单元对应的所述胆甾相液晶层中掺杂的所述第一化合物的浓度为2.2mol%;
用于显示绿色和蓝色的所述子单元对应的所述胆甾相液晶层中掺杂的所述第一化合物的浓度均为3.0mol%。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述单电氧化剂包括:NOBF4。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一化合物包括:
5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-4任一项所述的显示面板和主控单元;
所述主控单元分别与所述有机电致发光器件层,所述检测传感器,以及所述颜色可切换结构电连接;
所述主控单元用于接收所述检测传感器提供的检测信号,并根据所述检测信号控制所述有机电致发光器件层和所述颜色可切换结构的显示状态。
6.一种如权利要求5所述的显示装置的显示方法,其特征在于,包括:
所述主控单元控制所述电致发光单元层内的各所述子像素进行显示;
检测单元检测各所述子像素对应的第一显示参数;
所述主控单元判断所述第一显示参数是否满足第一显示条件,当所述第一显示参数不满足所述第一显示条件时,控制各所述子像素停止显示,控制各所述子单元进行显示。
7.如权利要求6所述的显示装置的显示方法,其特征在于,当所述第一显示参数为各所述子像素对应的第一亮度值时,所述主控单元判断所述第一显示参数是否满足第一显示条件,具体包括:
所述主控单元判断所述第一亮度值是否小于第一阈值;
当所述第一亮度值小于所述第一阈值时,所述主控单元控制各所述子像素停止显示,控制各所述子单元进行显示。
8.如权利要求6所述的显示装置的显示方法,其特征在于,所述方法还包括:
在各所述子单元显示预设时间后,所述主控单元控制所述检测单元检测用于显示蓝色的所述子单元对应的第二显示参数;
所述主控单元判断用于显示蓝色的所述子单元对应的所述第二显示参数是否满足第二显示条件;
当所述第二显示参数不满足所述第二显示条件时,切换用于显示蓝色的所述子单元和用于显示绿色的所述子单元所施加的信号。
9.如权利要求8所述的显示装置的显示方法,其特征在于,当所述第二显示参数为用于显示蓝色的所述子单元对应的第二亮度值时,所述主控单元判断用于显示蓝色的所述子单元对应的所述第二显示参数是否满足第二显示条件,具体包括:
所述主控单元判断所述第二亮度值是否小于第二阈值;
当所述第二亮度值小于第二阈值时,切换用于显示蓝色的所述子单元和用于显示绿色的所述子单元所施加的信号。
10.如权利要求6所述的显示装置的显示方法,其特征在于,所述方法还包括:
所述主控单元在控制各所述子单元进行显示的同时,驱动各所述子单元显示与对应的所述子像素 颜色相同的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的