[发明专利]一种铸造单晶可调式导轮切割方法在审
| 申请号: | 201910936012.8 | 申请日: | 2019-09-29 | 
| 公开(公告)号: | CN110802754A | 公开(公告)日: | 2020-02-18 | 
| 发明(设计)人: | 惠昌军;司天平;常传波;唐骏 | 申请(专利权)人: | 扬州荣德新能源科技有限公司 | 
| 主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B28D7/04 | 
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| 地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 铸造 单晶可 调式 导轮 切割 方法 | ||
本发明涉及一种铸造单晶可调式导轮切割方法,包括如下步骤:(1)设计一套可相对距离调节的导轮,并根据产品规格设计开槽工艺;(2)安装导轮:根据导轮片位置安装开方机切割头上的滑轮位置;(3)粘锭前需将大锭尾部进行喷砂,便于调锭时对线,按照反粘的方式将大锭和托盘粘接;(4)上机调锭,根据铸造单晶的单多晶交界区域调整多晶的工装位置并调滑轮支架;(5)调取工艺,压线切割。本发明铸造单晶切割的导轮制造工艺及切割方法能更有效地使单多晶分离,提高了铸造单晶的利用率,并最大化的降低了铸造单晶的成本,现场通过此加工方式缩短了加工周期,方便现场调整降低频繁更换导轮的方式,使用更便利、可靠。
技术领域
本发明属于铸造单晶切割技术领域,具体涉及一种铸造单晶可调式导轮切割方法。
背景技术
目前在多晶晶锭开方工艺中,采用的工艺方法一般是:开方导轮的间距都是等分调整,通过数控车床进行控制开方导轮间距和槽型要求,该方式不能达到类单晶的切割要求。
因铸造多晶的长晶方式通过同质或异质形核方式,定向凝固生长出多种不同晶相结构的多晶硅锭。而铸造单晶的生长方式坩埚底部铺设单晶籽晶,结合半熔铸锭的方法铸造出具有单晶结构的晶体。实际铸造单晶生产过程,往往容易出现坩埚侧壁形核长成多晶,从而倾轧单晶面积,在硅锭四周区域形成单多晶交界区域。
正常的开方加工铸造多晶方式,等边等距的开槽方式,通过此种导轮用于正常铸造多晶大锭的切割,通过对中控制边缘厚度可以满足加工;但这种类型的切割方式无法满足铸造单晶的加工方法,如果用这种等边等距的切割方式会造成边缘晶砖存在单多晶混合大锭,导致此类晶砖报废、产能及原材料的浪费,严重影响生产效益。
发明内容
鉴于现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种铸造单晶可调式导轮切割方法,导轮制造工艺和切割方法,所述方法能够对铸造单晶的单多晶交界区域进行有效的分离,确保单晶的良率和多晶的完整,从而减少硅料的损耗和降低开方的加工成本。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下。
一种铸造单晶可调式导轮切割方法,包括如下步骤:
(1)设计一套可相对距离调节的导轮,并根据产品规格设计开槽工艺;
(2)安装导轮:根据导轮片位置安装开方机切割头上的滑轮位置;
(3)粘锭前需将大锭尾部进行喷砂,便于调锭时对线,按照反粘的方式将大锭和托盘粘接;
(4)上机调锭,根据铸造单晶的单多晶交界区域调整多晶的工装位置并调滑轮支架;
(5)调取工艺,压线切割。采用金刚线切割的方法需要根据大锭的类型调整切割工艺。
进一步地,步骤(5)中,根据大锭的类型调整切割工艺:1000-1200kg 的大锭需要控制张力在120-130N,线速控制16-17m/s,加速度控制4m/s2,切割台速控制在1.75-2.0mm/min,流量控制250-300L/min;如遇到其他规格的产品需要对相应的参数做调整。
进一步地,步骤(1)中,产品规格包括对角线为157mm、158.75mm、162mm、166mm的铸造单晶。
该发明的有益效果在于:本发明铸造单晶切割的导轮制造工艺及切割方法能更有效地使单多晶分离,提高了铸造单晶的利用率,并最大化的降低了铸造单晶的成本,现场通过此加工方式缩短了加工周期,方便现场调整降低频繁更换导轮的方式,使用更便利、可靠。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的具体实施方式进行描述,以便更好的理解本发明。
实施例
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