[发明专利]一种MEMS芯片以及电子设备

权利要求书

1.一种MEMS芯片，其特征在于：包括具有背腔的衬底、设置在所述衬底上的背极和两个感应膜，所述背极和两个所述感应膜位于所述背腔上，两个所述感应膜分别位于所述背极的上、下侧，并且分别与所述背极构成电容结构，两个所述感应膜的至少一个包括与所述背腔相对的有效区、设置在所述有效区外侧的无效区以及位于所述有效区和所述无效区之间的隔离区，所述隔离区包括分别与所述有效区和所述无效区连接的两个绝缘环，以及连接在两个所述绝缘环之间的缓冲区，两个所述绝缘环围绕所述有效区设置；两个所述感应膜之间形成密封的腔体，在所述腔体内填充有粘滞系数小于空气的气体，或者在所述腔体内填充有气压小于标准大气压的空气。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述绝缘环的材质为氮化硅或者氮氧化硅。

3.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述缓冲区的材质与所述有效区的材质相同。

4.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述无效区与所述背极是导通的。

5.根据权利要求4所述的MEMS芯片，其特征在于：所述无效区与所述衬底是导通的。

6.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述背极包括导通层和位于所述导通层的至少一个表面的加强层，所述导通层与所述加强层复合在一起。

7.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于：所述粘滞系数小于空气的气体为异丁烷、丙烷、丙烯、H₂、乙烷、氨、乙炔、乙基氯、乙烯、CH₃Cl、甲烷、SO₂、H₂S、氯气、CO₂、N₂O、N₂中的至少一种。

8.根据权利要求1-7中的任意一项所述的MEMS芯片，其特征在于：在两个所述感应膜上均设置有通孔，在所述背极上设置有至少一个贯穿孔，两个所述通孔、所述贯穿孔的位置相对应，还包括贯通两个所述通孔和所述贯穿孔的密封的膜层，所述膜层的两端分别与两个所述感应膜的内表面密封连接。

9.根据权利要求8所述的MEMS芯片，其特征在于：在所述衬底上埋设有多个焊盘，多个所述焊盘通过位于所述衬底内的导体分别与所述背极、所述衬底、感应膜连接。

10.根据权利要求1-7中的任意一项所述的MEMS芯片，其特征在于：所述隔离区包括比邻设置的两个端部，两个所述端部沿径向延伸，所述有效区向外延伸，以形成导通部，所述导通部位于两个所述端部之间，两个端部和所述导通部一起穿过所述无效区。

11.一种电子设备，其特征在于：包括如权利要求1-10中的任意一项所述的MEMS芯片。