[发明专利]一种石墨烯包覆纳米铜的方法在审
| 申请号： | 201910934222.3 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110666158A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 崔成强;匡自亮;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | B22F1/02 | 分类号： | B22F1/02;B22F1/00;C23C16/26;C23C16/455;C23C16/56;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11226 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 阎冬;李明 |
| 地址： | 510006 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米铜 石墨烯 包覆的 生长 导热性 大规模工业化生产 化学气相沉积 纳米铜颗粒 气体反应物 石墨烯薄膜 保护气体 互连材料 还原气体 抗氧化性 气体配比 石墨烯层 有效控制 制备工艺 包覆 单层 固晶 射频 制备 半导体 激光 | ||
1.一种石墨烯包覆纳米铜的方法，其特征在于：包括
S1、将纳米铜颗粒进行有机溶剂清洗后置于去离子水中清洗并于40-100℃烘干；
S2、将烘干的纳米铜颗粒均匀置于CVD反应炉中，持续通入惰性气体3～5min，抽真空至10～50pa；
S3、通入体积比为1～4:1，流速为0.05L/min～1L/min的碳源气体与还原性气体的混合气体，调节反应炉压强至50～200pa，温度为650～900℃，旋转CVD反应炉，反应时间为0.1h～0.5h；
S4、400～550℃下退火0.2h～0.4h；
S5、停止通入所述混合气体，将所述CVD反应炉冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯包覆纳米铜的方法，其特征在于：通过改变碳源的加入量和气体配比调节石墨烯层数、厚度和均匀性。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯包覆纳米铜的方法，其特征在于：所述S1中有机溶剂清洗方式为超声清洗3-5min。
4.根据权利要求1所述的一种石墨烯包覆纳米铜的方法，其特征在于：所述S1中去离子水清洗方式为超声清洗1-3min。
5.根据权利要求1所述的一种石墨烯包覆纳米铜的方法，其特征在于：所述S1有机溶剂为乙醇、丙酮或异丙醇。
6.根据权利要求1所述的一种石墨烯包覆纳米铜的方法，其特征在于：所述S2中惰性气体为Ar或He；所述还原性气体为H2；所述惰性气体流量为500～1500mL/min。
7.根据权利要求1所述的一种石墨烯包覆纳米铜的方法，其特征在于：所述S3中碳源气体包括甲烷、乙烯或乙炔。
8.根据权利要求1-7所述方法制备的石墨烯包覆的纳米铜。
9.根据权利要求8所述方法制备的石墨烯包覆的纳米铜，其特征在于：所述纳米铜为球状或椭球状；所述纳米铜颗粒直径为10～500nm。
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