[发明专利]一种抛光瓷砖及其制备方法和加工设备有效
申请号: | 201910932240.8 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN110590408B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 刘锦凡;程文静;李丽君;胡艺伦;方伟洪;朱恩堂;罗学新;刘纪文 | 申请(专利权)人: | 清远市宏图助剂有限公司 |
主分类号: | B32B11/00 | 分类号: | B32B11/00;B24B29/02;B24B29/00;C04B41/89 |
代理公司: | 广州市科丰知识产权代理事务所(普通合伙) 44467 | 代理人: | 龚元元 |
地址: | 511899 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抛光 瓷砖 及其 制备 方法 加工 设备 | ||
本发明属于抛光剂领域,具体为一种抛光瓷砖,所述抛光瓷砖表面的微孔和缝隙中填充有抛光膜;所述抛光膜包括交替布置的偶联剂层、填充层;其中填充层与微孔和缝隙直接接触,微孔和缝隙的最外层为偶联剂层;所述填充层由纳米二氧化硅溶液、苯丙乳液形成;纳米二氧化硅溶液、苯丙乳液的重量比例为100:5‑15;所述填充层的厚度为0.1‑0.3μm;所述偶联剂层的厚度为0.1‑0.2μm;其通过特定的偶联剂、填充剂来对抛光砖表面的微孔进行填充,并通过偶联剂层和填充层的交替布置,使偶联剂和填充剂之间连接牢固,能够经受打磨和恶劣的使用环境,保持较好的抗污性能,同时,本发明还公开了该瓷砖的制备方法和加工设备。
技术领域
本发明涉及抛光液领域,具体为一种抛光瓷砖及其制备方法和加工设备。
背景技术
权利人霍镰泉于2006年提出了一项发明专利ZL200610099354.1,其公开了一种在瓷质抛光砖表面上形成基于二氧化硅的复方抗污涂层的方法,首先准备好一种基于硅溶胶的复方硅溶胶液体,而后将所述的复方硅溶胶一边施布到待加工的抛光瓷质抛光砖表面上,一边又同时迫使已施布到瓷砖表面的复方硅溶胶经历磨头的磨抛处理,并在这样的磨抛-碾压展薄-摩擦升温受热过程中,使复方硅溶胶在游离水蒸发的同时,产生与硅酸脱水机理一致的溶胶-凝胶物理化学变化而硬化,从而在瓷质抛光砖表面上形成一种结合牢固、透明、高光泽度的基于二氧化硅的复方防污薄膜;随即再继续使该防污薄膜经历具有既疏水又疏油特性的氟硅有机化合物溶液、溶胶或乳液的抛光处理,进一步增强该表面的防水性、防油性污染能力。
通过其说明书记载,该复方抗污涂层由下层的一层或多层复方硅溶胶液体和上层的一层或多层氟硅有机化合物溶液组成。
其复方硅溶胶液体由硅溶胶和涂料用胶体乳液组成;其氟硅有机化合物中可选的一种情况是氟代三甲氧基硅烷。
复方硅溶胶液体主要用于抗污。
在其说明书第19页记载:“在高一些的温度条件下更有利于所述氟硅化合物能够尽快的渗透到该干胶表面和内部的纳米级孔隙网络中,当溶剂挥发掉,留在孔隙界面的该氟硅有机化合物可以经过化学结合形式牢牢固定留下来,基于其超强双疏性质使得该干胶薄膜表面及至深层均能疏油和疏水”。
该记载的方案在抛光领域中起着引领性的作用,其为后续的行业内的抛光操作提供指导性的导向意义。
通过上述方案,其抗污性能达到4级甚至5级(GB/T3810.14-1999);
但是,采用现有的国标检测方法,存在的问题在于:出口产品中,外方提供的检测方法为:
检测方法1:在抛光砖进行抛光操作后,随机抽取若干样品,通过油性笔在打磨后的表面做标记;采用滑石粉对其表面进行打磨,然后用流动的温水清洗砖面后用湿抹布擦拭表面,看标记是否消失。
检测方法2:和方法1大体相同,不同的是,将产品进行反复的升温和降温操作,通过油性笔在打磨后的表面做标记,采用滑石粉对其表面进行打磨,然后用流动的温水清洗砖面后用湿抹布擦拭表面,看标记是否消失。
检测方法1和检测方法2实际上考量的是用于对抛光砖表面孔隙填充的抛光剂的膜层硬度和耐温性能。
所以,本申请所解决的技术问题是:如何提高抛光砖在严苛的检测手段、检测环境下的抗污性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抛光瓷砖,其通过特定的偶联剂、填充剂来对抛光砖表面的微孔进行填充,并通过偶联剂层和填充层的交替布置,使偶联剂和填充剂之间连接牢固,能够经受打磨和恶劣的使用环境,保持较好的抗污性能,同时,本发明还公开了该瓷砖的制备方法和加工设备。
在不做特殊说明的情况下,本发明的%、份均为重量百分比和重量份,M代表mol/L。
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