[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 201910932118.0 | 申请日: | 2019-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN110610978A | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
| 发明(设计)人: | 李杰;任怀森;夏维 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蒋冬梅;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示基板 显示结构 封装层 基底 彩色滤光层 第二保护层 第一保护层 显示装置 依次层叠 制备 申请 | ||
一种显示基板,包括:基底、设置在基底上的显示结构层、在显示结构层上依次层叠设置的第一封装层、第一保护层、彩色滤光层、第二保护层以及第二封装层。本申请还提供一种显示基板的制备方法及显示装置。
技术领域
本文涉及显示技术领域,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前,偏光片(POL,Polarizer)可以有效地降低强光下显示面板的反射率,却损失了较多的出光,这对于OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板来说,极大地增加了寿命负担;而且,偏光片的厚度较大、材质脆,不利于实现OLED显示面板的折叠、卷曲等柔性显示特性。基于上述问题,目前采用彩色滤光片代替偏光片。然而,采用彩色滤光片代替偏光片的面板制备工艺存在较多问题。比如,显示结构层与彩色滤光片之间的封装结构厚度较大,不利于实现显示面板的轻薄化,而且,也不利于亮度衰减(L-Decay)角度的提升。
发明内容
本申请提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,可以解决由于显示结构层与彩色滤光片之间的封装结构厚度较大带来的不良影响。
一方面,本申请提供了一种显示基板,包括:基底、显示结构层、在所述显示结构层上依次层叠设置的第一封装层、第一保护层、彩色滤光层、第二保护层以及第二封装层。
另一方面,本申请提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
另一方面,本申请提供了一种显示基板的制备方法,包括:在基底上形成显示结构层;在显示结构层上形成第一封装层;在第一封装层上形成第一保护层;在第一保护层上形成彩色滤光层;在彩色滤光层上形成第二保护层;在第二保护层上形成第二封装层。
在本申请中,在显示结构层上依次层叠设置第一封装层、第一保护层、彩色滤光层、第二保护层以及第二封装层,形成双夹心膜层设计的彩膜封装结构,可以最大限度地减少彩色滤光层与显示结构层之间的膜层厚度,并提升L-Decay角度。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为相关技术中的显示基板的结构示意图;
图2为本申请第一实施例提供的显示基板的结构示意图;
图3为本申请第二实施例提供的显示基板的结构示意图;
图4为本申请第三实施例提供的显示基板的结构示意图;
图5为本申请第四实施例提供的显示基板的结构示意图。
附图标记说明:
10,20-基底;11,21-驱动阵列层;12,22-发光结构层;121,221-子像素区域;122,222-像素界定层;13-封装结构层;131-第一层;132-第二层;133-第三层;14,28-触控电极层;15,25-彩色滤光层;151,251-彩膜层;152,252-黑矩阵;16-保护层;17,29-盖板;23-第一封装层;24-第一保护层;26-第二保护层;27-第二封装层;30-第三封装层;31-第四封装层。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





