[发明专利]一种硅橡胶抗电磁干扰绝缘布及其制备方法

权利要求书

1.一种硅橡胶抗电磁干扰绝缘布，其特征在于，包括用于电磁屏蔽的石墨烯层和附着在其表面的、用于外绝缘的硅橡胶层，所述石墨烯层与硅橡胶层之间通过γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷产生化学交联和界面接枝；按重量份数计，所述硅橡胶层由如下重量份的原料制得：聚甲基乙烯基硅氧烷70～120份，氧化铝60～120份，二氧化硅5～25份，聚甲基氢硅氧烷1～5份，多乙烯基聚硅氧烷1～5份，γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷1～10份，Pt催化剂0.01份；所述石墨烯层由如下重量份的原料制得：苯基三乙氧基硅烷1～15份，二甲苯200～250份，γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷5～15份，石墨烯微片15～30份。

2.根据权利要求1所述的硅橡胶抗电磁干扰绝缘布，其特征在于，所述聚甲基乙烯基硅氧烷为多种粘度聚甲基乙烯基硅氧烷的混合物，按重量份数计，包括：黏度为1000～3000mPa·s聚甲基乙烯基硅氧烷15～30份，黏度为40000～60000mPa·s的聚甲基乙烯基硅氧烷20～40份，黏度为100000～200000mPa·s的聚甲基乙烯基硅氧烷35～50份。

3.根据权利要求1所述的硅橡胶抗电磁干扰绝缘布，其特征在于，所述氧化铝为经八甲基环四硅氧烷改性的粒径为1～5μm的氧化铝，所述二氧化硅为经八甲基环四硅氧烷改性的粒径为5～15nm的气相二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的硅橡胶抗电磁干扰绝缘布，其特征在于，所述石墨烯微片的片径为10～30μm，片层数为1～10层。

5.一种权利要求1所述的硅橡胶抗电磁干扰绝缘布的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)压延法制备硅橡胶层，该硅橡胶层中含有γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷；

2)配制石墨烯层浆料，该浆料中含有γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷；

3)将石墨烯层浆料涂覆在所述硅橡胶层表面、形成石墨烯层，两层间通过γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷产生化学交联和界面接枝。

6.一种权利要求1述的硅橡胶抗电磁干扰绝缘布的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)称取氧化铝及二氧化硅真空干燥，烘干后与聚甲基乙烯基硅氧烷捏合，所得初混产物进行研磨；

(2)将研磨产物、聚甲基氢硅氧烷、多乙烯基聚硅氧烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、Pt催化剂搅拌均匀；

(3)将步骤(2)配置好的样品在130～150℃下压延，压延厚度为0.5～3mm，得到硅橡胶层；

(4)将石墨烯微片与二甲苯、苯基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷进行超声分散，得到石墨烯层浆料；

(5)将石墨烯层浆料涂覆至压延好的硅橡胶层表面，即得。

7.根据权利要求6所述的硅橡胶抗电磁干扰绝缘布的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述真空干燥为：将氧化铝与二氧化硅在温度100～120℃、真空度-0.06～-0.09MPa的密闭条件下维持1～5h，然后密闭条件下冷却至常温；所述捏合工艺条件为：混合时间为1～3h，捏合温度为100～140℃，真空度-0.05～-0.08MPa。

8.根据权利要求6所述的硅橡胶抗电磁干扰绝缘布的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述超声分散频率为35kHz，超声分散时间30～60min。

9.根据权利要求6所述的硅橡胶抗电磁干扰绝缘布的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，采用喷涂的方式涂覆石墨烯层浆料：将压延好的硅橡胶层放至常温铺平，将石墨烯层浆料转移至喷枪中，喷枪压力上升至4～7个大气压，即可喷涂。