[发明专利]堆叠半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造堆叠半导体器件的方法，包括：

提供第一晶圆和第二晶圆；

在所述第一晶圆的顶部中形成第一器件层；

在所述第二晶圆的顶部中形成第二器件层；

在所述第一器件层中形成第一凹槽；

在所述第二器件层中形成第二凹槽；

在形成所述第一凹槽和所述第二凹槽中的至少一个之后，将所述第一晶圆和所述第二晶圆接合在一起；以及

通过切割工艺切割接合的第一晶圆和第二晶圆，其中，所述切割工艺切割穿过所述第一凹槽和所述第二凹槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过激光开槽工艺形成所述第一凹槽和所述第二凹槽的每个。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述切割工艺包括用锯片或刀片的机械切割。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述接合之后，所述第二凹槽直接位于所述第一凹槽下方。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凹槽完全延伸穿过所述第一器件层，并且所述第二凹槽完全延伸穿过所述第二器件层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述接合之后，所述第一器件层面向所述第二器件层，使得空隙从所述第一凹槽连续地延伸到所述第二凹槽。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一器件层包括第一接合焊盘，并且所述第二器件层包括第二接合焊盘，并且其中，所述接合将所述第一接合焊盘物理地连接到所述第二接合焊盘。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述接合之前，在所述第二晶圆中形成衬底通孔(TSV)，使得所述衬底通孔将所述第二器件层电耦合至所述第二晶圆的底面处的接合焊盘。

9.一种制造堆叠半导体器件的方法，包括：

提供第一结构，所述第一结构具有第一衬底和位于所述第一衬底上的第一器件层；

提供第二结构，所述第二结构具有第二衬底和位于所述第二衬底上的第二器件层；

在所述第二器件层中形成第二凹槽；

将所述第一衬底的底面接合至所述第二器件层的顶面；

在所述接合之后，在所述第一器件层中形成第一凹槽；以及

依次切割穿过所述第一凹槽、所述第一衬底、所述第二凹槽和所述第二衬底。

10.一种堆叠半导体器件，包括：

第一衬底，具有第一侧壁；

第一器件层，位于所述第一衬底上，具有第二侧壁，其中，所述第二侧壁的表面粗糙度大于所述第一侧壁的表面粗糙度；以及

材料层，接合至所述第一器件层，其中，所述第一器件层包括第一导电部件，所述第一导电部件电连接到所述材料层中的第二导电部件。