[发明专利]一种消除比较器工艺误差的改善电路

说明书

本发明公开了一种消除比较器工艺误差的改善电路，芯片内部设有polyfuse，初始状态下polyfuse正常连接至VCC，M1管栅级被上拉致VCC，M1导通，此时Vout＝R2/(R2+R3)*VCC，当需要改变电压值时，触发M2导通，polyfuse被短路至VSS，polyfuse被短路电路烧断，M1管栅极被电阻R4下拉至VSS，M1管关闭，此时Vout＝VCC；通过一段polyfuse可使电阻分压值设定为VCC或R2/(R2+R3)*VCC，十段polyfuse可以实现1024级电压调整。本发明与现有技术相比的优点在于：polyfuse在芯片内部占用面积很小；ployfuse只需要输入clk信号控制大电流通过被熔断就可以实现Verf的改变；10段ployfuse就能实现1024级的电压，精确度能够满足绝大多数的产品的精密调整要求；生产成本降低。

技术领域

本发明涉及比较器技术领域，具体是指一种消除比较器工艺误差的改善电路。

背景技术

比较器是通过比较两个输入端的电流或电压的大小，在输出端输出不同电压结果的电子元件。目前比较器对一致性改善的方式通常是采用FLASH或者EPROM来控制Verf变化，使输出信号与不同的Verf进行比较，但是其结构复杂，通常模拟器件无法制造的完全一致，每个器件生产出来都会存在一定偏差，尤其是当使用器件数量越多时，这些偏差会随机组合出现，就对产品的一致性造成严重影响，甚至有可能使产品失效，消除器件由于制造工艺本身带来的误差无法保证输出端的一致性；将FLASH或者EPROM加入到芯片中会使得芯片面积严重增大，从而导致成本过高；FLASH或者EPROM的控制端输入信号复杂；特殊场合及公安产品有部分不能采用内存式电路。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服以上技术缺陷，提供一种消除比较器工艺误差的改善电路。

为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：一种消除比较器工艺误差的改善电路，芯片内部设有polyfuse，初始状态下polyfuse正常连接至VCC，M1管栅级被上拉致VCC，M1导通，此时Vout＝R2/(R2+R3)*VCC，当需要改变电压值时，触发M2导通，polyfuse被短路至VSS，polyfuse被短路电路烧断，M1管栅极被电阻R4下拉至VSS，M1管关闭，此时Vout＝VCC；通过一段polyfuse可使电阻分压值设定为VCC或R2/(R2+R3)*VCC，十段polyfuse可以实现1024级电压调整。

作为改进，polyfuse用于电气连接，通过大电流后永久性烧断，电气连接断开。

作为改进，电阻阵列分压初始状态下，电阻通过polyfue连接，获得一定分压值，当需要调整电压值时，将某个连接点上的polyfuse烧断，电阻比例发生改变，分压值随之改变。

本发明与现有技术相比的优点在于：

(1)polyfuse在芯片内部占用面积很小；

(2)ployfuse只需要输入clk信号控制大电流通过被熔断就可以实现Verf的改变；

(3)10段ployfuse就能实现1024级的电压，精确度能够满足绝大多数的产品的精密调整要求；

(4)生产成本降低。

附图说明

图1是本发明单段polyfuse电路图；

图2是本发明以8段polyfuse电路示例，通过两段上拉，6段下拉的方式，即可产生2的8次方，共256级的电压变化图；

图3是本发明以8段下拉的方式，也可产生2的8次方，共256级的电压变化图；

图4是本发明以10段polyfuse可以得到2的10次方，共1024级的电压变化图。

具体实施方式